公开(公告)号：CN103699763A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201410024894.8

申请日：2014-01-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  陈岑 ,  王一行 ,  翟国富 ,  宛然 ,  赵薇 ,  孟彦辰 ,  孙博

IPC: G06F17/50

Abstract: 基于最小二乘拟合的开关电源健康状态评估方法，属于开关电源的健康状态评估技术领域。本发明为了解决现有开关电源健康状态评估方法中存在数据采集困难及评估结果可靠性差的问题。它首先建立开关电源仿真模型，确定影响开关电源输出特性的关键应力因素，及关键应力因素的波动范围；再确定开关电源的关键元器件，并建立各关键元器件的退化模型；通过修改参数的方法，依次对各关键元器件的退化模型进行定量的退化注入；然后构建开关电源的输出特征参数退化模型；采集开关电源的各关键应力因素值及输出特征参数值，根据开关电源的输出特征参数退化模型，获得开关电源的健康状态评估结果。本发明用于开关电源健康状态评估。

公开(公告)号：CN104849645A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510309286.6

申请日：2015-06-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  王一行 ,  陈岑 ,  孙博 ,  吕明东 ,  徐军忠 ,  翟国富

IPC: G01R31/27

Abstract: 基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法及采用该方法的MOSFET剩余寿命预测方法，涉及半导体退化评估及寿命预测领域。解决了无法实时在线评估MOSFET退化状态的问题，同时满足了对MOSFET的剩余寿命预测方法的需求。基于米勒平台电压的以MOSFET开通波形中的米勒平台电压作为敏感特征参数的评估方法：将MOSFET的米勒平台电压作为评估器件退化状态的参数。采用基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法获得MOSFET退化模型，再利用粒子滤波算法对MOSFET退化模型的参数进行修正与更新，并得到新的MOSFET退化模型，从而获得MOSFET当前状态距失效阈值的时间差，实现对MOSFET的剩余寿命预测。本发明适用于半导体的退化评估及寿命预测。

公开(公告)号：CN104635155A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510104611.5

申请日：2015-03-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王淑娟 ,  董宝旭 ,  王一行 ,  孙博 ,  叶雪荣 ,  翟国富

IPC: G01R31/327

Abstract: 基于Wiener过程的继电器可靠性评估方法，涉及继电器的可靠性评估技术领域。本发明是为了解决传统基于失效统计的可靠性评估方法对继电器寿命的评估可靠性差，精度低，并且不能获得长寿命继电器的寿命数据的问题。本发明所述的首先确定继电器的退化参量及其失效阈值；再利用改进的继电器寿命试验装置监测继电器退化数据；建立了失效概率、失效概率密度以及可靠度的退化模型；利用极大似然估计的方法估计模型参数，完成继电器的可靠性建模；最后，利用所得模型及退化数据获得继电器进行可靠性评估结果。它可用于对继电器寿命的评估。

公开(公告)号：CN103699763B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201410024894.8

申请日：2014-01-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  陈岑 ,  王一行 ,  翟国富 ,  宛然 ,  赵薇 ,  孟彦辰 ,  孙博 ,  王坚宁

IPC: G06F17/50

Abstract: 基于最小二乘拟合的开关电源健康状态评估方法，属于开关电源的健康状态评估技术领域。本发明为了解决现有开关电源健康状态评估方法中存在数据采集困难及评估结果可靠性差的问题。它首先建立开关电源仿真模型，确定影响开关电源输出特性的关键应力因素，及关键应力因素的波动范围；再确定开关电源的关键元器件，并建立各关键元器件的退化模型；通过修改参数的方法，依次对各关键元器件的退化模型进行定量的退化注入；然后构建开关电源的输出特征参数退化模型；采集开关电源的各关键应力因素值及输出特征参数值，根据开关电源的输出特征参数退化模型，获得开关电源的健康状态评估结果。本发明用于开关电源健康状态评估。