公开(公告)号：CN111625983B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202010480517.0

申请日：2020-05-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 熊方圆 ,  由佳欣 ,  冯祥东 ,  涂瑞 ,  史利兵

IPC: G06F30/23 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明公开了一种基于磁滞模型的含非线性永磁电磁机构有限元仿真方法，所述方法为：S1：建立永磁体实际充退磁过程有限元仿真模型，并对磁感应强度矢量分布进行仿真；S2：确定永磁体不同区域的磁化方向；S3：建立非线性永磁体磁滞模型；S4：对非线性永磁体非饱和充磁下的磁滞回线进行建模，从而得到非线性永磁体非饱和充磁情况下的B‑H曲线；S5：基于FLUX，建立永磁体电磁机构的仿真模型，将B‑H曲线设置为模型中永磁体材料参数，再对所需求的各项继电器电磁参数进行仿真。本发明为现有的含非线性永磁电磁机构提供了一种可靠准确的仿真计算方法，该方法也可应用于其他含复杂充磁情况或复杂形状非线性永磁的电磁机构仿真计算中。

公开(公告)号：CN111625983A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010480517.0

申请日：2020-05-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 熊方圆 ,  由佳欣 ,  冯祥东 ,  涂瑞 ,  史利兵

IPC: G06F30/23 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明公开了一种基于磁滞模型的含非线性永磁电磁机构有限元仿真方法，所述方法为：S1：建立永磁体实际充退磁过程有限元仿真模型，并对磁感应强度矢量分布进行仿真；S2：确定永磁体不同区域的磁化方向；S3：建立非线性永磁体磁滞模型；S4：对非线性永磁体非饱和充磁下的磁滞回线进行建模，从而得到非线性永磁体非饱和充磁情况下的B-H曲线；S5：基于FLUX，建立永磁体电磁机构的仿真模型，将B-H曲线设置为模型中永磁体材料参数，再对所需求的各项继电器电磁参数进行仿真。本发明为现有的含非线性永磁电磁机构提供了一种可靠准确的仿真计算方法，该方法也可应用于其他含复杂充磁情况或复杂形状非线性永磁的电磁机构仿真计算中。