公开(公告)号：CN112331613A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011345025.7

申请日：2020-11-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李邦盛 ,  晋玺 ,  杨尧 ,  梁玉鑫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 一种基于超声‑压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法，本发明涉及一种基于超声‑压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法。本发明的目的是要解决现有TSV填充技术中的填充密度低以及不能填充高深宽比TSV的问题，本发明方法为：将带有TSV硅片固定在液态金属液面上方进行烘烤；然后下移至液态金属液中，超声变幅杆工具头同时下降并浸入金属液中，后开启超声波发生装置并向密封室内通入Ar气，液态金属在气压及超声的复合作用下填充至TSV中。本发明可实现高深宽比TSV硅微孔的高质量快速填充，孔径范围80‑300μm，孔深范围200‑500μm，填充率大于99％。本发明应用于硅通孔填充领域。

公开(公告)号：CN112331613B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202011345025.7

申请日：2020-11-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李邦盛 ,  晋玺 ,  杨尧 ,  梁玉鑫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 一种基于超声‑压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法，本发明涉及一种基于超声‑压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法。本发明的目的是要解决现有TSV填充技术中的填充密度低以及不能填充高深宽比TSV的问题，本发明方法为：将带有TSV硅片固定在液态金属液面上方进行烘烤；然后下移至液态金属液中，超声变幅杆工具头同时下降并浸入金属液中，后开启超声波发生装置并向密封室内通入Ar气，液态金属在气压及超声的复合作用下填充至TSV中。本发明可实现高深宽比TSV硅微孔的高质量快速填充，孔径范围80‑300μm，孔深范围200‑500μm，填充率大于99％。本发明应用于硅通孔填充领域。