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公开(公告)号：CN118095182A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410177294.9
申请日：2024-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/373 , G06N3/0455 , G06N3/086 , G06N3/0985 , G06F119/02
Abstract: 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法，属于功率MOSFET可靠性建模技术领域，本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数，导致工作效率低的问题。它包括：S1、采集传感器的数据作为初始数据，对初始数据进行数据处理；S2、采用遗传算法对Transformer模型的超参数进行优化，构建GA‑Transformer模型；S3、将S1获取的数据输送至S2获取的GA‑Transformer模型中，依据性能指标评估预测的准确性，并对剩余使用寿命RUL进行预测，输出可靠性预测结果。本发明用于功率MOSFET可靠性预测。
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公开(公告)号：CN114221621A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111546474.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02S50/15
Abstract: 本发明公开了一种基于低温辐照试验装置的太阳电池低温原位辐射试验方法，通过在恒温真空舱内搭建低温测试台的方式来实现太阳电池的低温辐照同步测量和原位表征。本发明低温辐照试验装置通过无油分子泵抽真空来模拟太空真空环境，同时保护了器件不受空气中的水汽影响；通过风冷压缩机降温来模拟太空低温环境；通过电子加速器发出的电子来模拟太空中的电子辐照；使用太阳模拟器发射光源进行光特性测试，从而为太阳电池空间可靠性的测试提供了低温、低光强、辐照的试验条件。
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公开(公告)号：CN112946396A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110166149.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种低温辐照综合试验装置及试验方法，涉及一种采用低温辐照同步进行的半导体器件测试技术，为了解决现有仪器设备不能实现对半导体器件低温与电子辐照同时测试的问题。本发明的恒温真空仓横向水平放置，高频高压电子加速器位于光学窗口的正上方，并用于产生、加速电子，电子竖直向下运动，屏蔽箱的一侧与恒温真空仓的尾部相连通；风冷压缩机用于降低恒温真空仓内的温度，温度控制仪用于调节恒温真空仓内的温度；无油分子泵用于将恒温真空仓抽成真空；PCB板以覆盖的方式固定在该连接口处；待测器件放置于恒温真空仓的头部内，并通过螺丝钉进行固定，待测器件的引脚通过杜邦线与PCB板的引线相连。有益效果为实现了低温和电子辐照的同步测量。
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公开(公告)号：CN110459650A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910776387.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/265
Abstract: 基于深层离子注入方式的倒置三结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有空间带电粒子会在太阳电池内部产生位移辐射损伤，在太阳电池内部产生空位、间隙原子等缺陷，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒置三结太阳电池的InGaAs有源区模拟注入离子，改变注入离子量，模拟注入离子的I-V特性，获取模拟注入离子后的I-V特性与未注入离子的I-V特性的变化量小于10％时的注入离子量，计算注入离子机的电压和离子束电流，设置注入离子时间，对倒置三结太阳电池进行离子注入，通过离子注入的方式引入缺陷陷阱，对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用。用于提高倒置三结太阳电池抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN117151012A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311312876.5
申请日：2023-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/39 , G06F18/214 , G06N20/00 , G06F119/02
Abstract: 本发明的一种肖特基势垒二极管可靠性的预测方法，涉及肖特基势垒二极管可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有肖特基势垒二极管的可靠性预测方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一、将需预测可靠性的肖特基势垒二极管的预计工作时长输入至训练好的可靠性预测模型，得到肖特基势垒二极管的可靠性参数预测值；步骤二、将可靠性参数预测值与预设的可靠性参数阈值比较，在可靠性参数预测值小于可靠性参数阈值时，判断肖特基势垒二极管在预计工作时长后为可靠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114236339A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111546467.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法，该装置包括：恒温真空舱、光源控制单元、氙灯光源、测试单元和控制模块；方法包括以下步骤：S1.氙灯光源产生入射光；入射光包括单色光和偏置光；S2.将恒温真空舱横向放置，舱头部的光学窗口正对单色光下方，确保单色光和偏置光入射至待测电池表面，通过探针连接待测电池电极，并通过测试线将探针与测试单元相连，确认无断触后关闭舱门；S3.将恒温真空舱抽成真空；S4.达到真空度要求后进行降温；S5.通过测试单元进行量子效率性能测试得到量子效率曲线，根据量子效率曲线获取短路电流密度，以及半导体材料在当前温度下的带隙。本发明为深空太阳电池低温量子效率测试提供了试验条件。
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公开(公告)号：CN110473787B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910774716.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/425 , H01L21/477
Abstract: 一种基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法，属于二极管微电子技术领域。本发明针对现有氧化镓肖特基二极管在带电粒子辐照环境中抗位移辐照能力差，易造成其正向及反向特性退化的问题。它根据原Ga2O3肖特基二极管的结构参数，确定离子的待注入位置，并模拟确定所述离子的能量和射程；再模拟获得离子注入后Ga2O3肖特基二极管正向及反向目标特性变化曲线，记录目标特性变化曲线的变化量小于原Ga2O3肖特基二极管正向及反向特性变化曲线10％时的离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原Ga2O3肖特基二极管进行离子注入并进行退火处理。本发明用于氧化镓肖特基二极管的加固。
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公开(公告)号：CN113984797A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111301296.7
申请日：2021-11-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/00
Abstract: 一种用于在深空探测温度范围内可控辐照的终端设备及其使用方法，它涉及温度可控的辐照终端设备，本发明要解决当前在深空探测中航天航空器件遇到的极端温度，没有相应的平台对深空探测中航天航空器件进行评估问题。本发明的设备包括粒子加速器、真空腔室和温度控制系统；真空腔室内放置高低温样品台和束流探测器，温度控制系统对高低温样品台进行温度控制，粒子加速器对真空腔室发射粒子，束流探测器进行探测。
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公开(公告)号：CN109658962B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201811554118.3
申请日：2018-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C11/413 , G11C7/24
Abstract: 一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元，它涉及一种SRAM存储单元，本发明要解决目前没有既能在近阈值或亚阈值电压区域工作，又能有效抵抗单粒子多节点翻转效应的SRAM存储单元结构的问题，本发明通过设计冗余加固技术以及合理的结构设计，增加了电路的内部节点数量从而达到抗单粒子翻转的目的；通过极性加固技术，对电路结构中的特定节点进行了抗单粒子翻转加固保护；此外，还通过版图加固技术，实现了对可能发生多节点翻转的节点对的隔离。在电路级和版图级加固的联合作用下，所提出的近阈值SRAM存储单元具备抵抗单粒子多节点翻转的能力。满足了低电压应用领域对抗单粒子多节点翻转近阈值SRAM存储单元的设计需求。
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公开(公告)号：CN110473787A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910774716.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/425 , H01L21/477
Abstract: 一种基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法，属于二极管微电子技术领域。本发明针对现有氧化镓肖特基二极管在带电粒子辐照环境中抗位移辐照能力差，易造成其正向及反向特性退化的问题。它根据原Ga2O3肖特基二极管的结构参数，确定离子的待注入位置，并模拟确定所述离子的能量和射程；再模拟获得离子注入后Ga2O3肖特基二极管正向及反向目标特性变化曲线，记录目标特性变化曲线的变化量小于原Ga2O3肖特基二极管正向及反向特性变化曲线10％时的离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原Ga2O3肖特基二极管进行离子注入并进行退火处理。本发明用于氧化镓肖特基二极管的加固。
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