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公开(公告)号：CN108439814A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810380619.8
申请日：2018-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种利用水蒸气预处理表面的等离子体活化直接键合方法，所述方法具体实施步骤如下：一、将待键合的石英玻璃置于水蒸气处理装置的样品台上进行水蒸气处理；二、采用等离子体对水蒸气处理后的石英玻璃进行活化；三、将等离子体活化后的石英玻璃进行贴合，并在室温大气环境下静置；四、将贴合后的石英玻璃进行保温。本发明在等离子体活化前采用水蒸气对石英玻璃进行处理，相比于单一的等离子体活化，在相同的退火温度和退火时间下，能够大幅度地提高石英玻璃和石英玻璃间的键合强度。
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公开(公告)号：CN108439814B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201810380619.8
申请日：2018-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种利用水蒸气预处理表面的等离子体活化直接键合方法，所述方法具体实施步骤如下：一、将待键合的石英玻璃置于水蒸气处理装置的样品台上进行水蒸气处理；二、采用等离子体对水蒸气处理后的石英玻璃进行活化；三、将等离子体活化后的石英玻璃进行贴合，并在室温大气环境下静置；四、将贴合后的石英玻璃进行保温。本发明在等离子体活化前采用水蒸气对石英玻璃进行处理，相比于单一的等离子体活化，在相同的退火温度和退火时间下，能够大幅度地提高石英玻璃和石英玻璃间的键合强度。
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公开(公告)号：CN108520854A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810380617.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用紫外光活化键合叠加式放置的玻璃与其他材料的方法，所述方法步骤如下：对待键合材料的表面进行清洗→放置楔形片→放置玻璃晶片→活化待键合的晶片对→抽出楔形→手动施压完成键合。本发明通过利用紫外光能透过玻璃晶片对下方材料的待键合表面进行活化的方法，实施活化过程中的原位键合，既能减少污染物颗粒在表面的亲水性表面的吸附，也能在一定程度上降低人为因素的干扰，能够有效地提高玻璃与其他材料的键合质量，降低键合过程中的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113314451A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110645471.8
申请日：2021-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/68 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种基于莫尔条纹的晶圆键合对准系统及方法，该系统包括：光路装置、数据处理装置和控制装置；光路装置包括光源组件、上光路组件和下光路组件；上光路组件和下光路组件均包括反光镜、透射式光栅、透镜和光电接收器；上光路组件用于和下晶圆构建上光路以获取第一莫尔条纹；下光路组件用于和上晶圆构建下光路以获取第二莫尔条纹；光电接收器用于将光信号转换为电信号；数据处理装置用于确定下晶圆的位置和上晶圆的位置；控制装置对上晶圆和下晶圆的位置进行调整以对准上晶圆和下晶圆。本发明通过莫尔条纹的放大作用来提升晶圆键合对准精度，还可分辨晶圆间的旋转错位，也不要求晶圆材料透明，可实现全材料晶圆的纳米级高精度对准。
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公开(公告)号：CN108520854B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201810380617.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用紫外光活化键合叠加式放置的玻璃与其他材料的方法，所述方法步骤如下：对待键合材料的表面进行清洗→放置楔形片→放置玻璃晶片→活化待键合的晶片对→抽出楔形→手动施压完成键合。本发明通过利用紫外光能透过玻璃晶片对下方材料的待键合表面进行活化的方法，实施活化过程中的原位键合，既能减少污染物颗粒在表面的亲水性表面的吸附，也能在一定程度上降低人为因素的干扰，能够有效地提高玻璃与其他材料的键合质量，降低键合过程中的缺陷。
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公开(公告)号：CN113314451B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110645471.8
申请日：2021-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/68 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种基于莫尔条纹的晶圆键合对准系统及方法，该系统包括：光路装置、数据处理装置和控制装置；光路装置包括光源组件、上光路组件和下光路组件；上光路组件和下光路组件均包括反光镜、透射式光栅、透镜和光电接收器；上光路组件用于和下晶圆构建上光路以获取第一莫尔条纹；下光路组件用于和上晶圆构建下光路以获取第二莫尔条纹；光电接收器用于将光信号转换为电信号；数据处理装置用于确定下晶圆的位置和上晶圆的位置；控制装置对上晶圆和下晶圆的位置进行调整以对准上晶圆和下晶圆。本发明通过莫尔条纹的放大作用来提升晶圆键合对准精度，还可分辨晶圆间的旋转错位，也不要求晶圆材料透明，可实现全材料晶圆的纳米级高精度对准。
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公开(公告)号：CN111243972B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010113428.2
申请日：2020-02-24
IPC: H01L21/603
Abstract: 一种多步协同表面活化低温混合键合方法，属于晶圆键合及三维封装领域，该方法能够同时键合Cu‑Cu、SiO2‑SiO2以及Cu‑SiO2，所述方法具体步骤如下：一、将含有Cu电极和SiO2绝缘层图案的混合键合样品在室温下浸泡于甲酸溶液中，取出后在去离子水中进行超声清洗；二、采用等离子体对清洗后的样品进行表面活化；三、将等离子体活化后的样品对准后进行热压键合；四、对键合后样品进行保温，最终获得Cu/SiO2混合键合样品对。本发明操作便捷，成本低廉，低温200°C条件下实现了牢固的键合界面。大幅减小因热膨胀、热失配和热扩散而带来的一系列问题，避免损坏温度敏感器件，相比目前已知的其他混合键合方法具有明显优势，适用于下一代高性能芯片三维高密度异质集成。
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公开(公告)号：CN111243972A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010113428.2
申请日：2020-02-24
IPC: H01L21/603
Abstract: 一种多步协同表面活化低温混合键合方法，属于晶圆键合及三维封装领域，该方法能够同时键合Cu-Cu、SiO2-SiO2以及Cu-SiO2，所述方法具体步骤如下：一、将含有Cu电极和SiO2绝缘层图案的混合键合样品在室温下浸泡于甲酸溶液中，取出后在去离子水中进行超声清洗；二、采用等离子体对清洗后的样品进行表面活化；三、将等离子体活化后的样品对准后进行热压键合；四、对键合后样品进行保温，最终获得Cu/SiO2混合键合样品对。本发明操作便捷，成本低廉，低温200°C条件下实现了牢固的键合界面。大幅减小因热膨胀、热失配和热扩散而带来的一系列问题，避免损坏温度敏感器件，相比目前已知的其他混合键合方法具有明显优势，适用于下一代高性能芯片三维高密度异质集成。
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