公开(公告)号：CN119846415A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411922366.4

申请日：2024-12-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈岑 ,  孔维轩 ,  王辰一 ,  王浩东 ,  寇雅婷 ,  张东 ,  翟国富

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/36 ,  H02H3/20 ,  G06N3/0442

Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试及参数特征分析平台，包括硬件平台和软件平台，其中：硬件平台包括控制单元、自动化驱动单元、智能数据单元、隔离单元和元件测试单元；控制单元包括上位机控制模块、串口通信传输模块和以太网通信传输模块；自动化驱动单元包括MCU控制模块、ADC模块、采样模块、过压保护模块、GPIO模块和驱动模块；智能数据单元包括数据采集模块、数据处理模块和数据处理模块；隔离单元包括信号隔离模块和驱动隔离模块；软件平台包括MCU控制程序和上位机程序。本发明能够实现自动化双脉冲测试及参数特征深度分析，并可视化相应的分析结果，极大地提高了双脉冲测试效率和测试可靠性。