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公开(公告)号：CN114268276A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111579626.9
申请日：2021-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于太阳电池低温低光强综合试验装置以及试验方法，该装置包括光源、低温恒温舱、无油分子泵、风冷压缩机、温度控制仪以及电学测试系统；其试验方法包括：根据电池服役环境，确定温度光照条件；整理装置，安装衰减片；样品放置，检查光路与测试线路；打开无油分子泵将低温恒温舱抽成真空环境；打开风冷压缩机对冷头降温至额定温度；校准太阳模拟器；测试样品光特性。该发明能在地面模拟出空间环境中低温低光强的试验装置的试验方法。
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公开(公告)号：CN114236339A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111546467.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法，该装置包括：恒温真空舱、光源控制单元、氙灯光源、测试单元和控制模块；方法包括以下步骤：S1.氙灯光源产生入射光；入射光包括单色光和偏置光；S2.将恒温真空舱横向放置，舱头部的光学窗口正对单色光下方，确保单色光和偏置光入射至待测电池表面，通过探针连接待测电池电极，并通过测试线将探针与测试单元相连，确认无断触后关闭舱门；S3.将恒温真空舱抽成真空；S4.达到真空度要求后进行降温；S5.通过测试单元进行量子效率性能测试得到量子效率曲线，根据量子效率曲线获取短路电流密度，以及半导体材料在当前温度下的带隙。本发明为深空太阳电池低温量子效率测试提供了试验条件。
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公开(公告)号：CN110473787B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910774716.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/425 , H01L21/477
Abstract: 一种基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法，属于二极管微电子技术领域。本发明针对现有氧化镓肖特基二极管在带电粒子辐照环境中抗位移辐照能力差，易造成其正向及反向特性退化的问题。它根据原Ga2O3肖特基二极管的结构参数，确定离子的待注入位置，并模拟确定所述离子的能量和射程；再模拟获得离子注入后Ga2O3肖特基二极管正向及反向目标特性变化曲线，记录目标特性变化曲线的变化量小于原Ga2O3肖特基二极管正向及反向特性变化曲线10％时的离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原Ga2O3肖特基二极管进行离子注入并进行退火处理。本发明用于氧化镓肖特基二极管的加固。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110473787A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910774716.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/425 , H01L21/477
Abstract: 一种基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法，属于二极管微电子技术领域。本发明针对现有氧化镓肖特基二极管在带电粒子辐照环境中抗位移辐照能力差，易造成其正向及反向特性退化的问题。它根据原Ga2O3肖特基二极管的结构参数，确定离子的待注入位置，并模拟确定所述离子的能量和射程；再模拟获得离子注入后Ga2O3肖特基二极管正向及反向目标特性变化曲线，记录目标特性变化曲线的变化量小于原Ga2O3肖特基二极管正向及反向特性变化曲线10％时的离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原Ga2O3肖特基二极管进行离子注入并进行退火处理。本发明用于氧化镓肖特基二极管的加固。
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公开(公告)号：CN114221621A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111546474.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02S50/15
Abstract: 本发明公开了一种基于低温辐照试验装置的太阳电池低温原位辐射试验方法，通过在恒温真空舱内搭建低温测试台的方式来实现太阳电池的低温辐照同步测量和原位表征。本发明低温辐照试验装置通过无油分子泵抽真空来模拟太空真空环境，同时保护了器件不受空气中的水汽影响；通过风冷压缩机降温来模拟太空低温环境；通过电子加速器发出的电子来模拟太空中的电子辐照；使用太阳模拟器发射光源进行光特性测试，从而为太阳电池空间可靠性的测试提供了低温、低光强、辐照的试验条件。
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公开(公告)号：CN110459650A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910776387.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/265
Abstract: 基于深层离子注入方式的倒置三结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有空间带电粒子会在太阳电池内部产生位移辐射损伤，在太阳电池内部产生空位、间隙原子等缺陷，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒置三结太阳电池的InGaAs有源区模拟注入离子，改变注入离子量，模拟注入离子的I-V特性，获取模拟注入离子后的I-V特性与未注入离子的I-V特性的变化量小于10％时的注入离子量，计算注入离子机的电压和离子束电流，设置注入离子时间，对倒置三结太阳电池进行离子注入，通过离子注入的方式引入缺陷陷阱，对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用。用于提高倒置三结太阳电池抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN114236339B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202111546467.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法，该装置包括：恒温真空舱、光源控制单元、氙灯光源、测试单元和控制模块；方法包括以下步骤：S1.氙灯光源产生入射光；入射光包括单色光和偏置光；S2.将恒温真空舱横向放置，舱头部的光学窗口正对单色光下方，确保单色光和偏置光入射至待测电池表面，通过探针连接待测电池电极，并通过测试线将探针与测试单元相连，确认无断触后关闭舱门；S3.将恒温真空舱抽成真空；S4.达到真空度要求后进行降温；S5.通过测试单元进行量子效率性能测试得到量子效率曲线，根据量子效率曲线获取短路电流密度，以及半导体材料在当前温度下的带隙。本发明为深空太阳电池低温量子效率测试提供了试验条件。
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公开(公告)号：CN110491970A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910775586.1
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/265
Abstract: 基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有倒置四结太阳电池在空间带电粒子的辐照下抗位移辐照能力差，易产生位移辐射损伤，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒置四结太阳电池的第四结有源区和第三结有源区模拟注入离子，获得离子能量和射程信息，模拟I-V特性，记录与未注入离子时的I-V特性变化量小于10％时的注入离子量，计算注入离子电压和离子束电流，设置注入离子时间，采用设置后的注入离子机进行离子注入，对完成离子注入的倒置四结太阳电池进行退火处理。本发明用于对倒置四结太阳电池进行抗位移辐照加固。
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