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公开(公告)号：CN115203922B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210768494.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种考虑姿态的原子氧来流与迎风面实时表征方法及装置，所述方法包括获取每一仿真时刻下飞行器的空间位置、运动速度和运行姿态，并根据位置、速度及姿态，结合原子氧环境模型和横向风环境模型，得到飞行器所处的原子氧数量密度环境以及横向风环境，并根据飞行器的速度及飞行器所处的横向风速度，获得原子氧来流速度，实现了对复杂结构航天器的空间原子氧环境中的考虑来流速度与飞行器自身姿态变化的正迎风面原子氧实时表征。
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公开(公告)号：CN115083546B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210769735.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G16C10/00 , G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种基于从头算分子动力学方法计算材料离位阈能的方法，属于模拟技术领域，所述方法包括：建立与材料对应的体系模型；设定模拟参数，利用从头算分子动力学方法对所述体系模型进行离位阈能的模拟计算，并获取演化完成后的体系结构，其中，所述模拟参数包括PKA预设能量；根据所述体系结构的状态确定后续模拟计算所需施加的新的PKA能量，并进行再次模拟计算，直至所述体系结构中首次产生稳定缺陷，获取此时的PKA能量，并将其确定为所述材料的离位阈能。本发明解决了半导体材料离位阈能无法定量且准确计算的问题，且方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。
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公开(公告)号：CN117038354A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311103180.1
申请日：2023-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86 , H01G11/30 , C01B32/921 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及电极材料技术领域，特别是涉及一种MXene薄膜的制备方法、产品及应用。本发明方法包括以下步骤：将Ti3C2Tx的前驱体加入到刻蚀剂中进行刻蚀，之后离心，清洗所得固体得到Ti3C2Tx沉淀；将所述Ti3C2Tx沉淀加入到去离子水中超声处理，得到含有Ti3C2Tx纳米片的悬浊液；将所述含有Ti3C2Tx纳米片的悬浊液进行一次氧化，之后加入氢氟酸进行刻蚀，得到一次氧化刻蚀后的Ti3C2Tx纳米片悬浊液；将所述一次氧化刻蚀后的Ti3C2Tx纳米片悬浊液进行二次氧化，之后加入氢氟酸进行刻蚀，抽滤，得到所述MXene薄膜。本发明方法简单，所制备的MXene薄膜具有高的比电容。
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公开(公告)号：CN111855706B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202010735719.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明提供了一种半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法，包括以下步骤：S100、制备低阻单晶样品；S200、对低阻单晶样品的背面进行高浓度掺杂得到掺杂样品；S300、在掺杂样品的正面刻蚀沟槽；S400、对开槽的样品进行钝化，在样品的正面、背面和沟槽内形成介质层；S500、刻蚀样品背面的介质层，制备背面电极并形成欧姆接触；S600、刻蚀样品正面的介质层形成刻蚀区，制备正面电极并形成肖特基接触，制得测试样品；S700、对测试样品进行辐射诱导位移缺陷表征。本发明的检测方法通过制备出合适的半导体材料测试样品，有利于达到高效、高灵敏度位移缺陷检测与判定的目的，实现了半导体材料和器件中的辐射诱导位移缺陷快速、高效、准确检测。
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公开(公告)号：CN111863608B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202010735726.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L23/552 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子烧毁的大功率晶体管及其制备方法。所述大功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；对所述外延层进行氧化处理和光刻处理，形成注入窗口；通过所述注入窗口对所述外延层进行多次重金属离子注入，且后一次注入所述重金属离子形成的离子注入区位于前一次注入所述重金属离子形成的离子注入区的上方。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升晶体管的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证晶体管本身的高性能指标。另外，本发明与常规的晶体管的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116092603A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211618609.6
申请日：2022-12-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F113/26 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种复合材料损伤分析方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：将复合材料单胞划分为六面体单元，获取各个六面体单元中节点的坐标信息；获取复合材料的纤维轮廓包络面方程；进而获取各个所述六面体单元的材料属性；根据坐标信息以及材料属性，构建得到复合材料的单胞模型；根据位移载荷信息以及复合材料的参数，获取单胞模型的单元平衡方程，然后获取总体平衡方程，再获取单胞模型的节点位移；根据节点位移，获取仿真计算结果，并根据仿真计算结果更新单胞模型中刚度矩阵和单元本构关系。本发明显著简化了复合材料建模过程，降低的建模难度，且不需要借助商业软件和二次开发，显著提高了复合材料损伤分析的效率。
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公开(公告)号：CN115758816A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211404858.5
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种面向工艺仿真的边界演变修复方法、装置及存储介质，其中，一种面向工艺仿真的边界演变修复方法包括：对半导体器件进行边界识别；对识别得到的边界进行回路检测；当存在不合理边界回路时，进行边界修复，确定合理边界回路。本发明通过在半导体器件的工艺仿真中引入边界形态检测和修复过程，以消除沟道、遮挡等因素在工艺过程中的影响，防止相应边界深入单体材料内部，以得到工艺仿真产生的正确边界结果，从而得到符合预期的仿真结果，保证工艺仿真结果的准确性与可靠性。
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公开(公告)号：CN115659697A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211410966.3
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种MOS的低剂量率增强效应仿真模型构建方法，涉及元器件辐射模拟方法技术领域，包括如下步骤：步骤S1：构建MOS结构模型，MOS结构模型包括金属栅极、SiO2氧化层和Si衬底，在MOS结构模型中构建缺陷，并设置初始缺陷浓度，得到MOS结构缺陷模型；步骤S2：将相同的MOS结构缺陷模型在不同的低剂量率下辐照，模拟高能光子与SiO2氧化层的作用过程并计算，得到辐照后MOS结构缺陷模型的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷，以对低剂量率增强效应进行仿真。本发明将MOS结构缺陷模型在不同的低剂量率下辐照，实现对低剂量率增强效应的仿真。
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公开(公告)号：CN112356534B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202011238152.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/18 , B32B27/28 , B32B37/02 , B32B37/06 , B32B37/10 , C08L61/16 , C08K3/38
Abstract: 本发明提供了一种辐射防护复合材料及其制备方法，所述辐射防护复合材料以聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料作为面层，以铝‑含硼纳米复合材料作为中间层，其中，所述中间层的相对两侧均设有所述面层。本发明通过以聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料作为面层，以铝‑含硼纳米复合材料作为中间层，形成具有三层结构的复合材料，聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料能对铝‑含硼纳米复合材料起到较好的防护作用，避免铝‑含硼纳米材料腐蚀，产生二次电子，造成二次辐射，且聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料也具有优异的质子、中子和电子等空间带电粒子辐射防护性能，能减少复合材料中铝‑含硼纳米材料的用量，从而减少辐射防护复合材料的质量。
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公开(公告)号：CN111766499B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010735771.0
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体材料深能级瞬态谱测试系统及方法，涉及测试技术领域，包括：向被测半导体施加触发信号；获取被测半导体的检测电压和检测电流；根据检测电压和检测电流确定检测电容量；根据检测电流确定瞬态电流量；对检测电容量和瞬态电流量进行数据分析和数据同步，确定同时结合电容变化和电流变化的深能级瞬态谱。本发明向被测半导体施加触发信号，在测试基于电容变化的深能级瞬态谱的同时，也测试基于电流变化的深能级瞬态谱，不仅提高了测试速度，还可通过同时结合电容变化和电流变化的深能级瞬态谱进行数据对比。除此之外，通过同时获取电压、电流多方面的信息，使测试结果更为可靠准确。
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