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公开(公告)号：CN115083546B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210769735.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G16C10/00 , G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种基于从头算分子动力学方法计算材料离位阈能的方法，属于模拟技术领域，所述方法包括：建立与材料对应的体系模型；设定模拟参数，利用从头算分子动力学方法对所述体系模型进行离位阈能的模拟计算，并获取演化完成后的体系结构，其中，所述模拟参数包括PKA预设能量；根据所述体系结构的状态确定后续模拟计算所需施加的新的PKA能量，并进行再次模拟计算，直至所述体系结构中首次产生稳定缺陷，获取此时的PKA能量，并将其确定为所述材料的离位阈能。本发明解决了半导体材料离位阈能无法定量且准确计算的问题，且方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。
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公开(公告)号：CN115169207A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210762692.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F17/18 , G06F119/14 , G06F111/10 , G06F113/26
Abstract: 本发明提供了一种基于分子动力学的辐照缺陷演化注量率模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：获取单个入射粒子辐照半导体器件产生的PKA的数量；对所述半导体器件进行网格划分，获取每个网格中所述初PKA的数量，建立与所述网格等大小的仿真体系模型；基于所述仿真体系模型，利用分子动力学方法和动力学蒙特卡罗方法对所述网格进行缺陷演化模拟，并获取所述入射粒子标定注量率下所述网格中的缺陷信息；对所有所述网格中的缺陷信息进行汇总，得到所述半导体器件的综合缺陷信息。本发明结合分子动力学和动力学蒙特卡罗方法，实现在不同注量率下整个半导体器件的缺陷演化过程的模拟计算，且计算逻辑清晰，步骤简单易操作。
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公开(公告)号：CN115171821A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210759862.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种机器学习力场开发方法。包括：使用VASP软件进行半导体材料的第一原理分子动力学模拟，获得MD模拟的每一帧构象及其势能和原子受力信息，通过训练得到多组机器学习力场，对半导体材料的标定性质进行分子动力学模拟，获得多条模拟轨迹，计算模拟轨迹中每一帧构象的信息，比较获取构象信息偏离平均值的构象为目标构象，对目标构象进行单点能计算，将分子动力学模拟的每一帧构象信息和目标构象信息作为数据库，训练得到最终的机器学习力场。本发明通过建立多组相似的机器学习力场模型，并比较其在半导体材料分子动力学模拟构象的势能和原子受力，有效地挑选了和实际工况接近的目标构象，从而建立准确表征半导体材料的机器学习力场。
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公开(公告)号：CN115083546A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210769735.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G16C10/00 , G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种基于从头算分子动力学方法计算材料离位阈能的方法，属于模拟技术领域，所述方法包括：建立与材料对应的体系模型；设定模拟参数，利用从头算分子动力学方法对所述体系模型进行离位阈能的模拟计算，并获取演化完成后的体系结构，其中，所述模拟参数包括PKA预设能量；根据所述体系结构的状态确定后续模拟计算所需施加的新的PKA能量，并进行再次模拟计算，直至所述体系结构中首次产生稳定缺陷，获取此时的PKA能量，并将其确定为所述材料的离位阈能。本发明解决了半导体材料离位阈能无法定量且准确计算的问题，且方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。
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