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公开(公告)号：CN118572139A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410588069.4
申请日：2024-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: H01M8/0245 , H01M8/1011
Abstract: 一种质子化三嗪环/全氟磺酸复合质子交换膜及其制备方法和应用。本发明属于质子交换膜燃料电池领域。本发明的目的是为了解决现有全氟磺酸质子交换膜的质子传导率和机械性能不高，填料与全氟磺酸基体难以实现分子水平杂化、质子转移通道单一的技术问题。复合质子交换膜由三聚氰胺硫氰酸盐和全氟磺酸树脂制成的乳液涂布而成。方法：先利用三聚氰胺和三聚硫氰酸制得三聚氰胺硫氰酸盐；然后将其超声分散于氮甲基吡咯烷酮中，再加入全氟磺酸树脂粉末形成乳液；涂布后得到复合质子交换膜。该质子交换膜用于燃料电池或电解水装置领域。本发明的方法工艺简单，复合膜均匀，界面相容性好，能同时提升全氟磺酸质子交换膜的质子传导率和机械性能。
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公开(公告)号：CN119647381A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411726742.2
申请日：2024-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F119/14 , G06F119/04
Abstract: 一种考虑质量一致性的MOS场效应管失效物理建模及估计方法，属于MOS场效应管性能与可靠性分析技术领域。为了解决现有的MOS场效应管失效物理建模方案未曾考虑性能参数退化过程以及退化模型中的模型系数存在无法反映批次产品一致性的问题，本发明首先根据MOS场效应管的典型失效机理，确定考虑质量一致性的失效物理模型通用表达形式，开展MOS场效应管多应力加速试验设计并试验得到加速试验结果，采用基于Copula的多参数相关性方法，计算失效物理模型系数，得到电子元器件失效物理模型，进而确定考虑质量一致性的失效物理模型。最后根据考虑质量一致性的失效物理模型进行估计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117735700A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410151099.9
申请日：2024-02-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 陈忠林 , 李鸣桦 , 闫鹏魏 , 沈吉敏 , 王斌远 , 康晶 , 赵晟锌 , 李朗宁 , 祝鑫炜 , 程艺真 , 杨人武 , 冯超 , 王舒煜 , 沈琳璐 , 佘天好 , 沈扬 , 谭强 , 王广源
IPC: C02F1/78 , C02F1/32 , C02F101/30 , C02F101/12
Abstract: 一种UV强化臭氧微纳米气泡高效去除水中有机污染物及同步削弱溴酸盐生成势的方法，本发明涉及一种UV强化臭氧微纳米气泡高效去除水中有机污染物及同步削弱溴酸盐生成势的方法，本发明的目的是为了解决臭氧氧化技术的氧化效率低、成本高以及在处理含溴离子的水体时易造成二次污染的问题，本发明首先制备臭氧微纳米气泡水，然后插入固定光强的紫外灯管进行搅拌处理，即可对污染物进行高级氧化处理。本发明臭氧微纳米气泡与紫外有显著协同作用，活化效率高，臭氧利用率高，可提高处理效果，降低处理成本，该体系内臭氧将溴离子转化为溴酸根离子的风险较低。本发明应用于水处理领域。
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公开(公告)号：CN119886876A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411953187.7
申请日：2024-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06Q10/0637 , G06Q10/20 , G06Q50/04 , G06F18/21
Abstract: 本发明公开了一种考虑性能退化预计误差的电子设备预防性维护策略开发方法，所述方法包括如下步骤：步骤S1、开展电子设备性能退化预计验证试验；步骤S2、确定性能退化预计误差区间；步骤S3、构建维护成本模型；步骤S4、计算不同预计误差下维护成本；步骤S5、确定最优维护策略。本发明能够得到适用于所有性能退化预计误差的有效维护策略并降低维护成本。在三相逆变器应用案例中，本发明方法确定的维护策略与不考虑性能退化预计误差的维护策略相比，在获得最低维护成本的同时避免了故障发生。
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公开(公告)号：CN119644002A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411672299.5
申请日：2024-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳化硅功率MOSFET阈值电压退化的温度相互作用辨识方法，属于电子元器件可靠性辨识技术领域。为了解决现有技术并没有针对碳化硅功率MOSFET阈值电压退化的温度相互作用分析方法的问题。本发明首先开展加速退化试验，获取用于进行温度相互作用辨识的阈值电压退化数据，然后消除测量异常波动与测量误差，并对恒定温度加速退化试验中温度为Ti与Tj的各组样本数据和两阶段温度加速退化试验第二阶段各组样本数据分别进行拟合；然后对退化路径数据进行统计检验，根据统计检验结果判断退化是否受温度相互作用影响。本发明用于MOSFET阈值电压退化的温度相互作用的辨识。
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公开(公告)号：CN119647380A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411726740.3
申请日：2024-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06N3/096
Abstract: MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备，属于MOS场效应管偏压温度不稳定性失效物理建模技术领域。为了解决现有的迁移学习方法并不能针对MOS场效应管失效物理模型的失效机理衍变规律进行迁移学习，从而导致迁移后的模型效果并不理想。本发结合历史数据和仿真分析方法，构建不同候选源领域复相关模型并确定影响失效物理模型系数的关键参数，然后根据复相关性模型，计算不同候选源领域与目标领域的距离，构建MOS场效应管的可迁移性判别准则；然后建立候选源领域的电子元器件失效物理参数辨识模型，并基于可迁移域判别准则，采用实例迁移学习方法，构建目标域与受其影响的失效物理模型系数的参数辨识模型。
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公开(公告)号：CN117682653A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202410106522.3
申请日：2024-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 陈忠林 , 李鸣桦 , 闫鹏魏 , 沈吉敏 , 王斌远 , 康晶 , 赵晟锌 , 李朗宁 , 祝鑫炜 , 程艺真 , 杨人武 , 冯超 , 王舒煜 , 沈琳璐 , 佘天好 , 沈扬 , 谭强 , 王广源
IPC: C02F1/78 , C02F1/72 , B01F23/2375 , C02F101/34
Abstract: 一种臭氧微纳气泡耦合过氧化氢去除污染物的方法，本发明涉及一种臭氧微纳气泡耦合过氧化氢去除污染物的方法，本发明的目的是为了解决臭氧氧化技术中臭氧投加量过大的问题，本发明首先制备臭氧微纳米气泡水，然后耦合过氧化氢共同处理水中污染物，即可对污染物进行高级氧化处理。本发明将臭氧微纳米气泡水耦合过氧化氢用来降解布洛芬，该催化体系可以在反应10min时降解率就达到100％。其降解率远高于单独臭氧微纳气泡水体系和单独贵过氧化氢体系对布洛芬的降解率。本发明应用于水处理领域。
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