公开(公告)号：CN115650233A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211350266.X

申请日：2022-10-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘勇 ,  刘旭东 ,  董尚利 ,  吕露 ,  何思锐

IPC: C01B32/921

Abstract: 一种基于气液界面作用的超薄MXenes膜的制备方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes薄膜的制备方法，或存在无法制备纳米级别薄膜，或存在无法获得纯净的纳米级别薄膜的问题。方法：一、MXenes湿膜的制备；二、超薄MXenes膜的制备。本发明用于基于气液界面的超薄MXenes膜的制备。

公开(公告)号：CN117038354A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311103180.1

申请日：2023-08-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘勇 ,  刘旭东 ,  何思锐 ,  侯仕达 ,  董尚利 ,  张成鑫 ,  吕钢

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  C01B32/921 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及电极材料技术领域，特别是涉及一种MXene薄膜的制备方法、产品及应用。本发明方法包括以下步骤：将Ti3C2Tx的前驱体加入到刻蚀剂中进行刻蚀，之后离心，清洗所得固体得到Ti3C2Tx沉淀；将所述Ti3C2Tx沉淀加入到去离子水中超声处理，得到含有Ti3C2Tx纳米片的悬浊液；将所述含有Ti3C2Tx纳米片的悬浊液进行一次氧化，之后加入氢氟酸进行刻蚀，得到一次氧化刻蚀后的Ti3C2Tx纳米片悬浊液；将所述一次氧化刻蚀后的Ti3C2Tx纳米片悬浊液进行二次氧化，之后加入氢氟酸进行刻蚀，抽滤，得到所述MXene薄膜。本发明方法简单，所制备的MXene薄膜具有高的比电容。

公开(公告)号：CN115831627B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202211467957.8

申请日：2022-11-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘勇 ,  刘旭东 ,  董尚利 ,  吕露 ,  何思锐

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/22

Abstract: 一种MXenes超级电容器电极的辐照改性方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes电极的改性方法或存在电极柔性差的问题，或存在造成MXenes晶体结构破坏并产生氧化的问题，且现有Mxenes的改性方法不适于大规模生产。方法：一、MXenes电极的制备及预处理；二、利用质子束进行辐照改性。本发明用于MXenes超级电容器电极的辐照改性。

公开(公告)号：CN115831627A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211467957.8

申请日：2022-11-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘勇 ,  刘旭东 ,  董尚利 ,  吕露 ,  何思锐

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/22

Abstract: 一种MXenes超级电容器电极的辐照改性方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes电极的改性方法或存在电极柔性差的问题，或存在造成MXenes晶体结构破坏并产生氧化的问题，且现有Mxenes的改性方法不适于大规模生产。方法：一、MXenes电极的制备及预处理；二、利用质子束进行辐照改性。本发明用于MXenes超级电容器电极的辐照改性。

公开(公告)号：CN115650233B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202211350266.X

申请日：2022-10-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘勇 ,  刘旭东 ,  董尚利 ,  吕露 ,  何思锐

IPC: C01B32/921

Abstract: 一种基于气液界面作用的超薄MXenes膜的制备方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes薄膜的制备方法，或存在无法制备纳米级别薄膜，或存在无法获得纯净的纳米级别薄膜的问题。方法：一、MXenes湿膜的制备；二、超薄MXenes膜的制备。本发明用于基于气液界面的超薄MXenes膜的制备。

公开(公告)号：CN117116671A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311103130.3

申请日：2023-08-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘勇 ,  何思锐 ,  刘旭东 ,  董尚利 ,  严润泽 ,  吕钢

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  C01B32/921

Abstract: 本发明涉及储能技术领域，特别是涉及一种基于聚沉自组装的MXene薄膜的制备方法、产品及应用。本发明基于聚沉自组装的MXene薄膜的制备方法，包括以下步骤：将MXene的前驱体加入到刻蚀剂中进行刻蚀，之后离心、清洗，得到Ti3C2TX沉淀；用去离子水稀释所述Ti3C2TX沉淀后超声得到少层Ti3C2TX纳米片悬浊液；向所述少层Ti3C2TX纳米片悬浊液中加入一价阳离子溶液，搅拌，得到絮状沉淀；将所述絮状沉淀进行抽滤、冻干得到所述基于聚沉自组装的MXene薄膜。本发明方法通过聚沉自组装的方式在MXene中引入孔洞，并使之形成三维大孔的结构，这种方法不仅可以阻碍纳米片的重堆积，还可以极大地提高活性表面积。