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公开(公告)号：CN113640717B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202110859341.4
申请日：2021-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种电器元件内部条形永磁体截面磁通间接测量方法，所述方法如下：S1：针对不同型号尺寸的条形永磁体，沿各充磁方向上，测量截面磁通作为参考1；S2：针对不同型号尺寸的条形永磁体，沿各充磁方向上，测量端面磁通作为参考2；S3：将参考1和2数据导入数据库；S4：对于某装配到电器元件当中的条形永磁体，测量端面磁通以及端部位置的部分截面磁通，作为实测数据；S5：将实测数据与参考1和参考2进行比对，选取数据最为相近的永磁体参考，同时获得参考1中对应型号永磁体的截面磁通数据，作为该条形永磁体的截面磁通。本发明为不破坏电磁机构就能测量永磁体截面磁通提供了可行方案。
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公开(公告)号：CN113640717A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110859341.4
申请日：2021-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种电器元件内部条形永磁体截面磁通间接测量方法，所述方法如下：S1：针对不同型号尺寸的条形永磁体，沿各充磁方向上，测量截面磁通作为参考1；S2：针对不同型号尺寸的条形永磁体，沿各充磁方向上，测量端面磁通作为参考2；S3：将参考1和2数据导入数据库；S4：对于某装配到电器元件当中的条形永磁体，测量端面磁通以及端部位置的部分截面磁通，作为实测数据；S5：将实测数据与参考1和参考2进行比对，选取数据最为相近的永磁体参考，同时获得参考1中对应型号永磁体的截面磁通数据，作为该条形永磁体的截面磁通。本发明为不破坏电磁机构就能测量永磁体截面磁通提供了可行方案。
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