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公开(公告)号：CN100343232C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN02823446.4
申请日：2002-11-28
Applicant: 和光纯药工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D409/14 , C07D487/04 , G03F7/039
CPC classification number: C07D209/48 , C07D487/04 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , Y10S430/121
Abstract: 本发明涉及作为在半导体元件等的制造中使用的化学放大型抗蚀剂组合物的酸产生剂或用于耐热性高分子合成原料有用的新的双二酰亚胺化合物，使用它们的酸产生剂和抗蚀剂组合物以及用该组合物的图案形成方法，进一步涉及作为双二酰亚胺化合物的合成中间体，例如耐热性高分子化合物，感光材料等的功能性化合物的中间体等有用的双(N-羟基)苯邻二甲酰亚胺化合物，即提供通式[1]所示的双二酰亚胺化合物：[式中，R，A1分别如权利要求1定义]使用它们的酸产生剂以及抗蚀剂组合物和用该组合物的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN1242303C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN00122256.2
申请日：2000-06-09
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/039 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 本发明涉及一种用于降低基片依赖性的试剂，可用作制备半导体器件等的光刻胶组合物的成分，该试剂包括如下通式[1]所示化合物：其中R41是氢原子或甲基，R42是氢原子、甲基、乙基或苯基，R43是含有1-6个碳原子的直链、支链或环状烷基，n是0或1。
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公开(公告)号：CN1097073C
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN96123158.0
申请日：1996-12-20
Applicant: 和光纯药工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/039 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 聚合物组合物包括：(i)含有带有官能团A的单体单元作为其结构成分的聚合物(a)，在一种酸存在下加热时成为碱溶的，(ii)含有带有官能团B的单体单元作为其结构成分的聚合物(b)，所述官能团在一种酸存在下加热时成为碱溶的，但不如官能团A易溶；以及除了(i)和(ii)之外或替代(ii)，若需要(iii)一种重均分子量为300-15,000的酚化合物。该组合物与光致酸生成剂一起提供了适用于形成光敏性、分辨率、掩模线性度和其它特性优良的图案的抗蚀材料。
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公开(公告)号：CN1159453A
公开(公告)日：1997-09-17
申请号：CN96123157.2
申请日：1996-12-20
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C08F112/08 , G03F7/039
CPC classification number: G03F7/039 , C08F212/14 , G03F7/0045 , Y10S430/106
Abstract: 一种在其分子中含有在酸存在下可容易地除去的缩醛基或缩酮基的聚羟基苯乙烯衍生物的聚合物，它有很窄的分子量分布并使含有它的抗蚀材料适合用于形成有极好分辨率、耐热性、掩模线性度和其它性能如不会引起延迟期间等问题的超细图案。
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公开(公告)号：CN1302799A
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：CN00120687.7
申请日：2000-12-27
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C07C381/12 , G03F7/031 , C08K5/43
CPC classification number: C07C381/12 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , Y10S430/106
Abstract: 本发明公开了通式[1]或[3]所示的三苯基锍盐化合物,其中R1和R2分别独立地是氢原子或低级烷基,其条件是R1和R2的至少一个是低级烷基,R3分别独立地是烷基,n是0—3的整数,i是1—3的整数,j是0—2的整数,其条件是i+j=3,Y－是由通式[2]的磺酸得到的阴离子,R4－SO3H[2][其中R4是烷基或可带有烷基取代基的芳基])。其中X是在邻位和/或间位上带有取代基的苯基,m是1—3的整数,q是0—2的整数,其条件是m+q=3,p是1或2,Zp－是由羧酸得到的阴离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1278076A
公开(公告)日：2000-12-27
申请号：CN00122256.2
申请日：2000-06-09
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/039 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 本发明涉及一种用于降低基片依赖性的试剂,可用作制备半导体器件等的光刻胶组合物的成分,该试剂包括如下通式(1)所示化合物:其中R41是氢原子或甲基,R42是氢原子、甲基、乙基或苯基,R43是含有1—6个碳原子的直链、支链或环状烷基,n是0或1。
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公开(公告)号：CN100486963C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN00120687.7
申请日：2000-12-27
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: C07C381/12 , G03F7/031 , C08K5/43
CPC classification number: C07C381/12 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , Y10S430/106
Abstract: 本发明公开了通式[1]或[3]所示的三苯基锍盐化合物：(其中R1和R2分别独立地是氢原子或低级烷基，其条件是R1和R2的至少一个是低级烷基，R3分别独立地是烷基，n是0-3的整数，i是1-3的整数，j是0-2的整数，其条件是i+j＝3，Y-是由通式[2]的磺酸得到的阴离子R4-SO3H [2][其中R4是烷基或可带有烷基取代基的芳基])。(其中X是在邻位和/或间位上带有取代基的苯基，m是1-3的整数，q是0-2的整数，其条件是m+q＝3，p是1或2，Zp-是由羧酸得到的阴离子)。
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公开(公告)号：CN100339767C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN02812460.X
申请日：2002-06-21
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 本发明涉及一种相应于以电子射线等为代表的超微细加工技术，具有高分辨性、高灵敏度、良好形状且对于在高真空下的能量照射，不产生气体逸出的实用的抗蚀剂组合物。即，提供(1)一种抗蚀剂组合物，其含有至少1种具有下述通式[1]、[2]和[3]所示的结构单元的聚合物、至少1种如下述通式[4]表示的放射线照射产生酸的化合物、以及有机碱性化合物和溶剂。(2)所述(1)的抗蚀剂组合物还包含具有下述通式[13]表示的聚合物单元的聚合物和(3)所述(1)和(2)的抗蚀剂组合物还包含下述通式[12]表示的通过放射线照射产生酸的化合物。
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公开(公告)号：CN1633628A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN02812460.X
申请日：2002-06-21
Applicant: 和光纯药工业株式会社
IPC: G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 本发明涉及一种相应于以电子射线等为代表的超微细加工技术，具有高分辨性、高灵敏度、良好形状且对于在高真空下的能量照射，不产生气体逸出的实用的抗蚀剂组合物。即，提供(1)一种抗蚀剂组合物，其含有至少1种具有上述通式[1]、[2]和[3]所示的结构单元的聚合物、至少1种如上述通式[4]表示的放射线照射产生酸的化合物、以及有机碱性化合物和溶剂。(2)所述(1)的抗蚀剂组合物还包含具有上述通式[13]表示的聚合物单元的聚合物和(3)所述(1)和(2)的抗蚀剂组合物还包含上述通式[12]表示的通过放射线照射产生酸的化合物。
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公开(公告)号：CN1592738A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN02823446.4
申请日：2002-11-28
Applicant: 和光纯药工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D409/14 , C07D487/04 , G03F7/039
CPC classification number: C07D209/48 , C07D487/04 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , Y10S430/121
Abstract: 本发明涉及作为在半导体元件等的制造中使用的化学放大型抗蚀剂组合物的酸产生剂或用于耐热性高分子合成原料有用的新的双二酰亚胺化合物，使用它们的酸产生剂和抗蚀剂组合物以及用该组合物的图案形成方法，进一步涉及作为双二酰亚胺化合物的合成中间体，例如耐热性高分子化合物，感光材料等的功能性化合物的中间体等有用的双(N－羟基)苯邻二甲酰亚胺化合物，即提供通式[1]所示的双二酰亚胺化合物，[式中，R，A1分别如权利要求1定义]使用它们的酸产生剂以及抗蚀剂组合物和用该组合物的图案形成方法。
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