公开(公告)号：CN114300342A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111543754.8

申请日：2021-12-16

Applicant: 吉林建筑大学

Inventor： 闫兴振 ,  宋凯安 ,  李博 ,  张轶强 ,  杨帆 ,  初学峰 ,  王超 ,  王艳杰 ,  迟耀丹 ,  杨小天

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/44 ,  H01L29/786 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种源漏电极的光刻方法、薄膜晶体管的制备方法。本发明提供的源漏电极的光刻方法，包括以下步骤：将图案化的有源层的表面进行部分匀胶，干燥，得到部分覆盖有光刻胶的图案化有源层；利用所述部分覆盖有光刻胶的图案化有源层中未匀胶部分，将所述部分覆盖有光刻胶的图案化有源层对焦制备源漏电极的光刻掩膜版，进行紫外光曝光和生长，在图案化的有源层表面形成源漏电极。本发明对图案化后的有源层进行部分涂覆光刻胶，其未旋涂光刻胶部分可作为对准参照，使覆盖有光刻胶的图案化有源层精准对焦制备源漏电极的光刻掩膜版的沟道位置。

公开(公告)号：CN114300342B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202111543754.8

申请日：2021-12-16

Applicant: 吉林建筑大学

Inventor： 闫兴振 ,  宋凯安 ,  李博 ,  张轶强 ,  杨帆 ,  初学峰 ,  王超 ,  王艳杰 ,  迟耀丹 ,  杨小天

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/44 ,  H10D64/01 ,  H10D30/01 ,  H10D30/67 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种源漏电极的光刻方法、薄膜晶体管的制备方法。本发明提供的源漏电极的光刻方法，包括以下步骤：将图案化的有源层的表面进行部分匀胶，干燥，得到部分覆盖有光刻胶的图案化有源层；利用所述部分覆盖有光刻胶的图案化有源层中未匀胶部分，将所述部分覆盖有光刻胶的图案化有源层对焦制备源漏电极的光刻掩膜版，进行紫外光曝光和生长，在图案化的有源层表面形成源漏电极。本发明对图案化后的有源层进行部分涂覆光刻胶，其未旋涂光刻胶部分可作为对准参照，使覆盖有光刻胶的图案化有源层精准对焦制备源漏电极的光刻掩膜版的沟道位置。