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公开(公告)号：CN114300342B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202111543754.8
申请日：2021-12-16
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种源漏电极的光刻方法、薄膜晶体管的制备方法。本发明提供的源漏电极的光刻方法，包括以下步骤：将图案化的有源层的表面进行部分匀胶，干燥，得到部分覆盖有光刻胶的图案化有源层；利用所述部分覆盖有光刻胶的图案化有源层中未匀胶部分，将所述部分覆盖有光刻胶的图案化有源层对焦制备源漏电极的光刻掩膜版，进行紫外光曝光和生长，在图案化的有源层表面形成源漏电极。本发明对图案化后的有源层进行部分涂覆光刻胶，其未旋涂光刻胶部分可作为对准参照，使覆盖有光刻胶的图案化有源层精准对焦制备源漏电极的光刻掩膜版的沟道位置。
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公开(公告)号：CN119132966A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410937695.X
申请日：2024-07-12
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/02 , H01L29/786 , B41M5/00
Abstract: 本发明属于印刷器件制备领域，特别涉及一种二元金属掺杂氧化物印刷薄膜晶体管的制备方法。本发明提供的印刷薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：将硅/二氧化硅衬底清洗后置于氩气等离子体中去除表面吸附官能团；二水合乙酸锌与水合硝酸铟溶于乙二醇甲醚溶剂；二水合氯化亚锡与水合硝酸铟溶于乙二醇甲醚溶剂；利用高精量微纳打印设备制备哑铃状图案化二元掺杂金属氧化物半导体层；高温退火处理有机杂质；利用高精量打印设备打印顶接触式薄膜晶体管的源漏电极。本发明提供的方法可印刷制备二元金属掺杂氧化物薄膜晶体管，满足目前印刷薄膜晶体管对二元金属氧化物半导体层材料的探索，可应用于全印刷电子显示驱动、光电探测与气体传感等领域。
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公开(公告)号：CN119132965A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410703792.2
申请日：2024-06-03
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于印刷光电子器件制备领域，特别涉及一种气氛退火改善印刷金属氧化物薄膜晶体管场效应性能的方法。本发明提供的改善印刷薄膜晶体管场效应性能的方法，包括以下步骤：切割Si/SiO2基底并超声清洗10分钟；置于气体等离子体发生装置中去除基底表面吸附的杂质；二水合乙酸锌、二水合氯化亚锡以及水合硝酸铟溶于乙二醇甲醚；打印薄膜晶体管器件有源层并进行550摄氏度空气氛围退火处理；为提高薄膜晶体管场效应性能，对金属氧化物有源层材料进行550摄氏度真空氛围下退火处理；利用高精量喷墨打印设备打印薄膜晶体管源、漏电极。本发明提供的方法可提高印刷金属氧化物薄膜晶体管的场效应性能，满足目前光电子器件对印刷驱动器件高电学性能的需求。
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公开(公告)号：CN114300342A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111543754.8
申请日：2021-12-16
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/44 , H01L29/786 , G03F1/76
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种源漏电极的光刻方法、薄膜晶体管的制备方法。本发明提供的源漏电极的光刻方法，包括以下步骤：将图案化的有源层的表面进行部分匀胶，干燥，得到部分覆盖有光刻胶的图案化有源层；利用所述部分覆盖有光刻胶的图案化有源层中未匀胶部分，将所述部分覆盖有光刻胶的图案化有源层对焦制备源漏电极的光刻掩膜版，进行紫外光曝光和生长，在图案化的有源层表面形成源漏电极。本发明对图案化后的有源层进行部分涂覆光刻胶，其未旋涂光刻胶部分可作为对准参照，使覆盖有光刻胶的图案化有源层精准对焦制备源漏电极的光刻掩膜版的沟道位置。
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