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公开(公告)号：CN102250555B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201010179460.7
申请日：2010-05-17
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种晶片加工用带，通过使粘合剂层和粘接剂层之间的剥离容易，提高拾取工序的半导体芯片的拾取成功率，同时，可以防止由增大销的顶起力及顶起高度而引起的薄的半导体芯片的破损。晶片加工用带(10)具有由基材膜(12a)和粘合剂层(12b)构成的粘合膜(12)、层叠于粘合膜(12)上的粘接剂层(13)。粘合剂层(12b)的80℃时的胶粘力(B)为0.9(N)以下，且粘接剂层(13)的80℃时的胶粘力(A)和粘合剂层(12b)的80℃时的胶粘力(B)的胶粘力比(A/B)在6.0以上且7.0以下的范围内。
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公开(公告)号：CN103119112A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201080069208.9
申请日：2010-10-25
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/40 , C09J2201/36 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/83191 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01025 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明提供在制作预切割加工成与半导体晶片的形状对应的形状的晶片加工用带时的粘接剂层的卷绕步骤中，可以防止卷绕的粘接剂层断裂，并且可以提高经预切割加工的晶片加工用带的生产性的粘接膜，及使用该粘接膜所制作的晶片加工用带。相对于粘接剂层(12)自脱模薄膜(11)的每单位剥离力，粘接剂层(12)的每相同单位的断裂强度为87.5倍以上，优选为100倍以上。
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公开(公告)号：CN102220091A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110078898.0
申请日：2011-03-28
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , C09J163/00 , H01L21/68 , H01L21/58
CPC classification number: H01L24/27 , H01L2224/83191
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够防止在半导体装置的制造工序中贴合晶片加工用胶带时产生的空隙或翘曲的胶粘性能高的晶片加工用胶带。一种晶片加工用胶带，其具有至少含有丙烯酸系共聚树脂、在室温下为液态的环氧树脂、环氧树脂的固化剂和填料的胶粘剂层，其特征在于，相对于胶粘剂层的厚度Xμm，填料的平均粒径为0.08Xμm以下。
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公开(公告)号：CN102250555A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010179460.7
申请日：2010-05-17
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种晶片加工用带，通过使粘合剂层和粘接剂层之间的剥离容易，提高拾取工序的半导体芯片的拾取成功率，同时，可以防止由增大销的顶起力及顶起高度而引起的薄的半导体芯片的破损。晶片加工用带(10)具有由基材膜(12a)和粘合剂层(12b)构成的粘合膜(12)、层叠于粘合膜(12)上的粘接剂层(13)。粘合剂层(12b)的80℃时的胶粘力(B)为0.9(N)以下，且粘接剂层(13)的80℃时的胶粘力(A)和粘合剂层(12b)的80℃时的胶粘力(B)的胶粘力比(A/B)在6.0以上且7.0以下的范围内。
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