公开(公告)号：CN118348099A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410449187.7

申请日：2024-04-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 马盛林 ,  王燕 ,  王其强 ,  叶剑峰 ,  陈路明 ,  谢亿瀚 ,  魏智琳

IPC: G01N27/48 ,  G01N27/416 ,  G01B7/06 ,  C25D7/12 ,  C25D21/12

Abstract: 本发明属于电镀技术领域，具体公开了一种原位评估圆片级电镀过程传质能力的测量系统及方法，其中测量系统为三电极测量系统，包括圆片电极、参比电极以及电镀装置中的阳极，所述圆片电极上设置多个微电极和1个面电极，所述微电极嵌入面电极中，所述微电极和面电极之间存在空气间隙，二者电气隔离并可分别独立供电。本发明可实现独立对圆片级电镀过程的传质能力进行原位测量与表征；本发明可以对圆片平面电镀工艺、铜大马士革互连电镀工艺、TSV/TGV孔电镀铜工艺等电镀过程传质能力进行原位测量与表征；本发明支持电镀装备传质系统、电镀添加剂与配方等设计开发。

公开(公告)号：CN116913861A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310899435.3

申请日：2023-07-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 马盛林 ,  王翌旭 ,  王燕 ,  陈路明

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明属于晶圆级封装技术领域，具体公开了一种TSV/TGV微通孔金属化方法，具体包括：清洗衬底材料保持衬底表面洁净；将衬底材料烘干后打孔，打孔完成后再进行清洗烘干；对衬底材料表面以及通孔进行绝缘层的沉积；对衬底材料表面以及通孔进行阻挡层和种子层的沉积；将衬底材料放入浸润槽中，然后对浸润槽进行抽真空，持续时间为20‑60min,直至衬底表面没有气泡产生；设置多段电流密度和时间进行电镀。本发明通过设置多段电流密度和时间，调整通孔两端的电力线密度，精准控制桥连位置，完成多种方法的部分实心填充。