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公开(公告)号：CN101118850A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710009396.6
申请日：2007-08-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法，涉及一种利用金属过渡层键合硅和氮化镓，结合激光剥离技术将蓝宝石衬底上的GaN转移到Si衬底上的方法。提供一种利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法。在硅衬底上依次溅射Ti和Au，得溅射有Ti和Au的硅片；在带蓝宝石衬底的GaN上依次溅射Ni和Au，得溅射有Ni和Au的氮化镓片；将硅片与氮化镓片面对面贴合，再放入键合机，温度为100～200℃，预键合后将键合机温度升高为200～600℃，退火，形成GaN/metal/Si键合片，再粘在玻璃片上，并固定在电动平台上，激光扫描，激光波长大于365nm，从蓝宝石一侧对键合片进行辐照即可。
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公开(公告)号：CN100595934C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810070524.2
申请日：2008-01-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0256
Abstract: 基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ge组分和厚度自由调节，设计灵活性强，主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管。设有硅基硅锗虚衬底，在虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区，集电区为Si1-yGey层，吸收区为Si1-zGez(y＜z≤1)层或Si1-zGez/Si1-yGey(y＜z≤1)多周期量子阱，基区为压应变的Si1-xGex层(y＜x≤1)，发射区为Si1-yGey层；在集电区、基区和发射区上设电极。
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公开(公告)号：CN1110012C
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN96100427.4
申请日：1996-02-05
Applicant: 厦门大学
IPC: G06K9/76
Abstract: 涉及一种应用激光取得全息图加密的装置。包括激光器；扩束滤波器，用于对激光器输出的激光光束扩束并滤波，输出单束光；具有图样的黑白透明片，图样为预设计的两组周期性变化的图样中的一组；光刻胶版，光刻胶版为位相型。光路设置是从激光器输出的激光光束经扩束滤波器扩束并滤波后，射到具有图样的黑白透明片上，黑白透明片和光刻胶版紧密接触，透过黑白透明片的光束射至光刻胶版。若用单束光将图样拷贝到光刻胶版上，肉眼并看不到图案的存在，只有当两个图样重叠时才能看到莫尔图，所以仿造者无法知道密码和解码板的图样，也就无法仿制。而解码时不必复杂的光路，并可以制作无数个，所以可以方便地在任何时间和地点对证件的真伪进行检验。
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公开(公告)号：CN102569033B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210018656.7
申请日：2012-01-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，涉及硅纳米点阵列的制备方法。在衬底上淀积铝膜后，退火，再对铝膜进行阳极氧化；去除所形成的阳极氧化铝膜及硅衬底表面上的二氧化硅点，即在样品表面形成较大尺寸的硅纳米点阵列；对样品进行脱氧，即得无绝缘势垒层的大面积均匀小尺寸密度可控硅纳米点阵列。所制得的硅纳米点尺寸分布均匀，纳米点尺寸和密度可控，且硅纳米点与衬底之间无绝缘层的存在，有利于制备电学/光电器件。同时，工艺条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569033A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210018656.7
申请日：2012-01-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，涉及硅纳米点阵列的制备方法。在衬底上淀积铝膜后，退火，再对铝膜进行阳极氧化；去除所形成的阳极氧化铝膜及硅衬底表面上的二氧化硅点，即在样品表面形成较大尺寸的硅纳米点阵列；对样品进行脱氧，即得无绝缘势垒层的大面积均匀小尺寸密度可控硅纳米点阵列。所制得的硅纳米点尺寸分布均匀，纳米点尺寸和密度可控，且硅纳米点与衬底之间无绝缘层的存在，有利于制备电学/光电器件。同时，工艺条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN100447950C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200710008498.6
申请日：2007-01-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/322
Abstract: 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法，尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控、成本低、厚度薄的SiGe弛豫缓冲层的制备方法。先在硅衬底或绝缘体上硅衬底上，用分子束外延或化学汽相淀积法生长一层Ge组分SiGe合金层，在SiGe合金层上覆盖一层硅盖层，Ge组分小于0.2，厚度在临界厚度以下；将覆盖一层硅盖层的SiGe合金层在氧化炉中氧化，在氧化后生成的SiO2层下面形成Ge组分渐变的SiGe缓冲层，Ge组分大于0.3；将氧化后生成的SiO2层腐蚀掉。
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公开(公告)号：CN101013668A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710008498.6
申请日：2007-01-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/322
Abstract: 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法，尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控、成本低、厚度薄的SiGe弛豫缓冲层的制备方法。先在硅衬底或绝缘体上硅衬底上，用分子束外延或化学汽相淀积法生长一层Ge组分SiGe合金层，在SiGe合金层上覆盖一层硅盖层，Ge组分小于0.2，厚度在临界厚度以下；将覆盖一层硅盖层的SiGe合金层在氧化炉中氧化，在氧化后生成的SiO2层下面形成Ge组分渐变的SiGe缓冲层，Ge组分大于0.3；将氧化后生成的SiO2层腐蚀掉。
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公开(公告)号：CN101916719B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010231280.9
申请日：2010-07-17
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法，涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。提供一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。将N型锗衬底进行清洗；将清洗后的N型锗衬底放入PECVD沉积二氧化硅层，再进行光刻，然后去除二氧化硅层，得到形成沉积金属窗口的N型锗衬底；将处理后的N型锗衬底放入磁控溅射机中，先在N型锗衬底正面沉积TaN层，然后在TaN层上沉积单质金属层，再采用剥离工艺获得金属/TaN/n-Ge接触。是一种简易、低成本、与微电子工艺兼容的可调节金属/n-Ge肖特基接触势垒高度的新方法。
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公开(公告)号：CN101916719A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010231280.9
申请日：2010-07-17
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法，涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。提供一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。将N型锗衬底进行清洗；将清洗后的N型锗衬底放入PECVD沉积二氧化硅层，再进行光刻，然后去除二氧化硅层，得到形成沉积金属窗口的N型锗衬底；将处理后的N型锗衬底放入磁控溅射机中，先在N型锗衬底正面沉积TaN层，然后在TaN层上沉积单质金属层，再采用剥离工艺获得金属/TaN/n-Ge接触。是一种简易、低成本、与微电子工艺兼容的可调节金属/n-Ge肖特基接触势垒高度的新方法。
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