公开(公告)号：CN101673793B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200910112613.3

申请日：2009-10-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  薛正群 ,  黄生荣 ,  田洪涛

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种GaN基LED芯片的制备方法，涉及一种LED芯片。提供一种不仅效果明显、操作简便、与常规器件工艺兼容，而且具有低串联电阻和良好P-型欧姆接触的GaN基LED芯片的制备方法。用溅射或蒸发的方法在LED外延片P-GaN表面沉积一层金属Zn薄膜；用激光器辐照样品的Zn/P-GaN表面；将样品表面剩余的Zn腐蚀掉，清洗后烘干；对处理好的样品进行ICP刻蚀，露出n型GaN层，光刻并溅射Ti/Al金属层，剥离后形成n型电极，退火；对样品再次进行光刻并在表面溅射Ni/Au金属层，剥离后形成p型电极，退火。

公开(公告)号：CN101673793A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910112613.3

申请日：2009-10-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  薛正群 ,  黄生荣 ,  田洪涛

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种GaN基LED芯片的制备方法，涉及一种LED芯片。提供一种不仅效果明显、操作简便、与常规器件工艺兼容，而且具有低串联电阻和良好P-型欧姆接触的GaN基LED芯片的制备方法。用溅射或蒸发的方法在LED外延片P-GaN表面沉积一层金属Zn薄膜；用激光器辐照样品的Zn/P-GaN表面；将样品表面剩余的Zn腐蚀掉，清洗后烘干；对处理好的样品进行ICP刻蚀，露出n型GaN层，光刻并溅射Ti/Al金属层，剥离后形成n型电极，退火；对样品再次进行光刻并在表面溅射Ni/Au金属层，剥离后形成p型电极，退火。