公开(公告)号：CN119121400A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411235049.5

申请日：2024-09-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴猛 ,  莫仕弟 ,  李嘉豪 ,  张泽峥 ,  马修益 ,  翁振翼 ,  刘无忌 ,  林伟南 ,  康俊勇

IPC: C30B29/22 ,  C30B23/06 ,  C30B23/02 ,  C30B33/02

Abstract: 一种高质量La2NiMnO6单晶薄膜的生长方法，涉及半导体领域。在高温(900℃)但在低氧压(200mT)的生长条件下实现高质量的La2NiMnO6单晶薄膜生长，包括以下步骤：1)钛酸锶衬底在去离子水中超声清洗后，再使用蘸取酒精的棉签进行擦拭清洗；2)使用脉冲激光沉积方法在钛酸锶衬底表面沉积La2NiMnO6薄膜；3)将步骤2)沉积的La2NiMnO6薄膜置于高氧压的气体氛围中退火，即完成质量La2NiMnO6单晶薄膜的制备。采用一种脉冲激光沉积(PLD)生长方法加上退火处理，成功地实现了高质量的La2NiMnO6单晶薄膜制备。

公开(公告)号：CN203436458U

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201320574814.7

申请日：2013-09-16

Applicant: 厦门大学附属第一医院

Inventor： 骆献阳 ,  林伟南 ,  上官翰京 ,  蔡成福

IPC: A61F11/00

Abstract: 本实用新型公开一种鼓膜置管器，包括一套管、一活动套设于套管内的芯杆和一与芯杆的后端相连接的扣压复位机构，还包括一与套管的后端相连的手枪状把手，该把手与套管之间的夹角为50-90度。本实用新型在操作过程中，拇指和中指不会挡住耳孔，大大改善了操作视野，提高了置管作业的准确性。

公开(公告)号：CN203436457U

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201320573920.3

申请日：2013-09-16

Applicant: 厦门大学附属第一医院

Inventor： 骆献阳 ,  林伟南 ,  上官翰京 ,  蔡成福

IPC: A61F11/00

Abstract: 本实用新型公开了一种鼓膜置管器，包括一套管、一活动套设于套管内的芯杆和一与芯杆相连接的按压复位机构，还包括一与套管的后端相连的扁的手枪状把手。本实用新型在操作过程中，拇指和中指不会挡住耳孔，大大改善了操作视野，提高了置管作业的准确性。