公开(公告)号：CN112531070A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011337981.0

申请日：2020-11-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄凯 ,  李冠錡 ,  唐锐钒 ,  高娜 ,  李澄 ,  李金钗 ,  康俊勇

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器及其制备方法。其中基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器包括衬底和位于衬底之上的氮化镓层，氮化镓层的上半部分形成氮化镓纳米柱阵列，氮化镓纳米柱阵列与包覆其上表面外的氧化镓构成核‑壳纳米柱阵列异质结；金属电极分别设在氮化镓层和氧化镓层表面的电极区域上，并形成肖特基接触。通过核‑壳异质结的形成可有效降低深紫外探测器的暗电流，提高器件的响应度，改善基于半导体异质结的光电探测器件性能。本发明提供的一种基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器，其结构简单，制备容易，便于规模化生产。

公开(公告)号：CN119153602A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411259249.4

申请日：2024-09-09

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 黄凯 ,  吴莉莉 ,  毕朝霞 ,  李冠錡 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及交流驱动的LED器件及其制备方法。交流驱动的LED器件包括：衬底层；第一半导体层，位于衬底层表面，第一半导体层包括平面部分和凸起部分，凸起部位于平面部分背向衬底层一侧的表面；有源层，位于第一半导体层的凸起部分背向衬底层一侧的表面；第二半导体层，位于有源层背向第一半导体层一侧的表面，第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反；第一半导体层的凸起部分、有源层和第二半导体层构成LED器件的外延层；钝化层，位于第二半导体层背向有源层一侧的表面，且包覆外延层的侧部；侧部电极，位于钝化层背向外延层侧部的表面。本发明提供的交流驱动的LED器件能有效降低器件在交流驱动下的开启电压，同时提高注入电流，提高器件发光亮度。