公开(公告)号：CN113921627A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111102849.6

申请日：2021-09-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  陈文山 ,  徐翔宇 ,  况思良 ,  张佳业

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种(InxGa1‑x)2O3日盲紫外光电探测器及其制备方法，其光灵敏性达到108，探测率达到2×1016‑5×1016Jones，包括一c‑Al2O3衬底，该c‑Al2O3衬底上通过PLD生长形成一厚度为0.1‑0.5μm的(InxGa1‑x)2O3薄膜，该(InxGa1‑x)2O3薄膜上设有叉指电极，其中0.05≤x≤0.1。本发明将Ga2O3和In2O3合金化，In的引入有效降低了器件的暗电流，提高了器件的光响应，使器件的光电性能得到大幅度提升，实现超高灵敏度和超高探测率，使得本发明所制备的器件对日盲光具有极高灵敏性，能够识别极其微弱的日盲紫外信号，不受可见光影响，具备全天候型的日盲紫外光探测能力。