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公开(公告)号：CN119151868A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411136182.5
申请日：2024-08-19
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于微电子封装缺陷技术领域，具体涉及一种大功率芯片微电子封装缺陷检测方法。本发明方法消除大功率芯片微电子封装图像中的噪声时，在腐蚀操作阶段通过一个结构元素，通常称为核与图像进行逐像素的比较。当结构元素完全覆盖对应图像区域时，设置输出图像对应像素为芯片微电子封装表面图像的前景，否则，即为芯片微电子封装表面图像的背景；在膨胀操作阶段，执行方式与腐蚀操作相反。借助Hough变换检测芯片微电子封装表面图像中的参考直线及特征点，确定芯片微电子封装表面图像的旋转角度，并进行适应性校正。采用最大类间方差法即Otsu方法对其进行阈值分割处理，并根据阈值分布情况，确定封装缺陷的具体状态。
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公开(公告)号：CN117313645A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311298240.X
申请日：2023-10-09
Applicant: 南通大学
IPC: G06F30/398 , G06T17/20 , G06F113/18 , G06F111/04 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F115/12 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种球栅阵列封装芯片热应力仿真方法。本发明对球栅阵列封装芯片热应力进行仿真，建立球栅阵列封装模型，反映非弹性应变与施加荷载的关系。芯片焊点受到约束条件作用，其应力应变响应随载荷变化呈现出线性变化趋势。对封装芯片进行热应力仿真，预测焊点在热循环下的疲劳寿命。实验表明此次仿真输出的芯片焊点疲劳寿命高于现有仿真方法，并更接近芯片标准寿命，因此更具有可靠性，有利于实际芯片产品设计。本发明提出的热应力仿真方法提高芯片焊点可靠性，输出的芯片焊点疲劳寿命高于现有方法，输出结果比较理想，更接近于芯片标准寿命，有利于提高芯片设计可靠性。
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公开(公告)号：CN119322249A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411175385.5
申请日：2024-08-26
Applicant: 南通大学
IPC: G01R31/28 , G06F18/21 , G06F18/2131 , G06F18/2433
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及基于改进小波熵的芯片级集成电路故障诊断方法，包括以下步骤：S1、采集芯片级集成电路原始信号，利用VMD信号重构技术重构原始信号；S2、采用改进的小波熵方法，对重构后的信号进行深度处理，提取出故障信号的关键特征；S3、通过故障信号的关键特征监测各节点电压变化，有效定位故障位置；S4、设置能够综合考量故障位置、衰减程度和故障长度的故障因子，与设置阈值进行对比，判别出故障的严重程度，从而实现芯片级集成电路故障在线诊断。本发明通过引入自适应小波基选择和多尺度小波熵融合技术，显著提升了诊断的准确性和效率，不仅降低了故障信号特征提取的重复性，而且提高了诊断系统的实时性和稳定性。
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公开(公告)号：CN117313645B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311298240.X
申请日：2023-10-09
Applicant: 南通大学
IPC: G06F30/398 , G06T17/20 , G06F113/18 , G06F111/04 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F115/12 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种球栅阵列封装芯片热应力仿真方法。本发明对球栅阵列封装芯片热应力进行仿真，建立球栅阵列封装模型，反映非弹性应变与施加荷载的关系。芯片焊点受到约束条件作用，其应力应变响应随载荷变化呈现出线性变化趋势。对封装芯片进行热应力仿真，预测焊点在热循环下的疲劳寿命。实验表明此次仿真输出的芯片焊点疲劳寿命高于现有仿真方法，并更接近芯片标准寿命，因此更具有可靠性，有利于实际芯片产品设计。本发明提出的热应力仿真方法提高芯片焊点可靠性，输出的芯片焊点疲劳寿命高于现有方法，输出结果比较理想，更接近于芯片标准寿命，有利于提高芯片设计可靠性。
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