公开(公告)号：CN113540288A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110767251.2

申请日：2021-07-07

Applicant: 南开大学

Inventor： 张毅 ,  王思宇 ,  申展 ,  刘越 ,  王作允

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072

Abstract: 本发明提供了一种室温硫化的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，该室温硫化的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，包括：在Mo电极上沉积铜基吸收层薄膜；使用氨水和硫化氨蒸气处理铜基吸收层薄膜表面，获得具有表面梯度带隙的铜基薄膜太阳电池。本发明中先使用氨水刻蚀铜基薄膜表面，使其表面留下悬挂键和硒空位。然后再使用硫化氨蒸气硫化铜基薄膜表面，使其表面带隙增加，形成了表面梯度带隙。经过室温硫化后，电池的开路电压得到大幅提升，因此使效率获得提升。硫化氨蒸气硫化铜基薄膜表面工艺简单，降低了太阳电池的制造成本。

公开(公告)号：CN111244197A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010062654.2

申请日：2020-01-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 张毅 ,  吴建宇 ,  申展 ,  敖建平 ,  刘玮

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种铜基薄膜太阳电池正电极及其制备方法，该铜基薄膜太阳电池正电极的制备方法，包括：在衬底上制备Mo金属电极；使用磷酸铵溶液处理所述Mo金属电极，获得铜基薄膜太阳电池正电极。本发明中使用磷酸铵溶液处理Mo金属电极，NH4+在Mo金属电极表面进行刻蚀，减少了界面缺陷态。正电极与光吸收层之间的接触更加匹配。同时PO43-调整金属Mo的功函数，使其与光吸收层的能带匹配。经过处理，电池短路电流密度得到大幅提升，因此使效率获得提升。磷酸铵溶液处理Mo金属电极工艺简单，降低了太阳电池的制造成本。

公开(公告)号：CN111244197B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010062654.2

申请日：2020-01-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 张毅 ,  吴建宇 ,  申展 ,  敖建平 ,  刘玮

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种铜基薄膜太阳电池正电极及其制备方法，该铜基薄膜太阳电池正电极的制备方法，包括：在衬底上制备Mo金属电极；使用磷酸铵溶液处理所述Mo金属电极，获得铜基薄膜太阳电池正电极。本发明中使用磷酸铵溶液处理Mo金属电极，NH4+在Mo金属电极表面进行刻蚀，减少了界面缺陷态。正电极与光吸收层之间的接触更加匹配。同时PO43‑调整金属Mo的功函数，使其与光吸收层的能带匹配。经过处理，电池短路电流密度得到大幅提升，因此使效率获得提升。磷酸铵溶液处理Mo金属电极工艺简单，降低了太阳电池的制造成本。

公开(公告)号：CN112593194A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011298207.3

申请日：2020-11-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 张生利 ,  郭洪玲 ,  申展 ,  孟汝涛 ,  张毅

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 一种高透光率、高电导率的大面积铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法。本发明在AZO薄膜沉积过程中，采用氢气+氩气混合气体作为工作气体，通过磁控溅射气压、功率、基底与靶材间距、基底转速和氢气含量的调节，能够在基底不加热的室温或基底加热到300℃以下的任意温度制备出电导率为0.5～2×103S/cm，波长在400‑1200nm范围内的平均光透过率高于90％的AZO薄膜。本发明所制备的AZO透明导电薄膜具有透光性好，电导率高，在不加热或低加热温度适用范围广等优势，无需高温后处理，有利于在温度敏感光电子器件，如光伏太阳电池和有机发光二极管等；以及温度耐受性能较低的柔性衬底材料上应用，工艺简单、低能耗，利于大面积工业化生产应用。

公开(公告)号：CN113540288B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202110767251.2

申请日：2021-07-07

Applicant: 南开大学

Inventor： 张毅 ,  王思宇 ,  申展 ,  刘越 ,  王作允

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072

Abstract: 本发明提供了一种室温硫化的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，该室温硫化的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，包括：在Mo电极上沉积铜基吸收层薄膜；使用氨水和硫化氨蒸气处理铜基吸收层薄膜表面，获得具有表面梯度带隙的铜基薄膜太阳电池。本发明中先使用氨水刻蚀铜基薄膜表面，使其表面留下悬挂键和硒空位。然后再使用硫化氨蒸气硫化铜基薄膜表面，使其表面带隙增加，形成了表面梯度带隙。经过室温硫化后，电池的开路电压得到大幅提升，因此使效率获得提升。硫化氨蒸气硫化铜基薄膜表面工艺简单，降低了太阳电池的制造成本。