公开(公告)号：CN116288213A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310318272.5

申请日：2023-03-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘慧桢 ,  董家斌 ,  刘越 ,  张生利 ,  张毅

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种铁电增强的铜基薄膜太阳电池无镉缓冲层掺氢锌锡氧的制备方法及其应用。将氧化锌靶材和二氧化锡靶材装入磁控溅射腔体，采用双靶共溅射法沉积掺氢锌锡氧(ZTO:H)薄膜，沉积ZTO:H时SnO2与ZnO之间的功率关系为：SnO2的功率应该不低于ZnO功率的50％；使用氩气和氢氩混合气作为溅射气氛。本发明有效解决了铜基薄膜太阳电池吸光层与缓冲层能带匹配较差的问题。掺氢锌锡氧(ZTO:H)薄膜有效替代CdS缓冲层，具有禁带宽度宽3.1～3.7eV、透光性好、导电率高等优势。制备方法简单且可以进行大规模批量生产，直接利用器件性能验证薄膜材料性能调控效果，为相关电池的新型功能层材料开发探明方向。

公开(公告)号：CN112593194A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011298207.3

申请日：2020-11-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 张生利 ,  郭洪玲 ,  申展 ,  孟汝涛 ,  张毅

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 一种高透光率、高电导率的大面积铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法。本发明在AZO薄膜沉积过程中，采用氢气+氩气混合气体作为工作气体，通过磁控溅射气压、功率、基底与靶材间距、基底转速和氢气含量的调节，能够在基底不加热的室温或基底加热到300℃以下的任意温度制备出电导率为0.5～2×103S/cm，波长在400‑1200nm范围内的平均光透过率高于90％的AZO薄膜。本发明所制备的AZO透明导电薄膜具有透光性好，电导率高，在不加热或低加热温度适用范围广等优势，无需高温后处理，有利于在温度敏感光电子器件，如光伏太阳电池和有机发光二极管等；以及温度耐受性能较低的柔性衬底材料上应用，工艺简单、低能耗，利于大面积工业化生产应用。