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公开(公告)号：CN115197058A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110388630.0
申请日：2021-04-12
Applicant: 南开大学
IPC: C07C49/755
Abstract: 本发明提供了式(II)和(III)所示的dysideanone B类似物及其制备方法。该方法以Wieland–Miescher酮的衍生物1为起始原料，简洁高效地完成了倍半萜醌类抗癌天然产物dysideanone B的首次全合成，并合成了一系列类似物，同时证明了dysideanone B的乙氧基可能来源于溶剂乙醇。本发明合成反应路线短、总收率较高，有利于dysideanone B及其类似物的大量合成，为其生物活性评价及其构效关系的研究提供了充足的原料。
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公开(公告)号：CN115197058B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110388630.0
申请日：2021-04-12
Applicant: 南开大学
IPC: C07C49/755
Abstract: 本发明提供了式(II)和(III)所示的dysideanone B类似物及其制备方法。该方法以Wieland–Miescher酮的衍生物1为起始原料，简洁高效地完成了倍半萜醌类抗癌天然产物dysideanone B的首次全合成，并合成了一系列类似物，同时证明了dysideanone B的乙氧基可能来源于溶剂乙醇。本发明合成反应路线短、总收率较高，有利于dysideanone B及其类似物的大量合成，为其生物活性评价及其构效关系的研究提供了充足的原料。#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116314439A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211724662.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/074 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池中的NiOx空穴传输层的制备方法，包括：将晶硅衬底置于磁控溅射设备的真空反应腔室中，并将晶硅衬底加热至反应温度；向真空反应腔室中通入反应气体，反应气体中氧流量呈线性速率变化，以在晶硅衬底的一侧生长带隙渐变的NiOx空穴传输层；其中，NiOx空穴传输层的带隙自太阳电池中的透明导电层向晶硅衬底的方向逐渐升高，透明导电层位于NiOx空穴传输层远离晶硅衬底的一侧，以使NiOx空穴传输层靠近透明导电层一侧的能带与透明导电层的能带匹配，且NiOx空穴传输层靠近晶硅衬底一侧的能带与晶硅衬底的能带匹配。本发明制备得到的NiOx空穴传输层应用在太阳电池中，有利于提升太阳电池的短路电流密度和填充因子。
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公开(公告)号：CN115197188A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110388629.8
申请日：2021-04-12
Applicant: 南开大学
IPC: C07D311/00
Abstract: 本发明提供了式(I)所示的一类具有五环骨架的倍半萜氢醌化合物及其制备方法。该方法以Wieland–Miescher酮的衍生物1为起始原料，简单高效地完成了一类具有五环骨架的倍半萜氢醌化合物的合成，本发明合成方法操作简单、反应条件温和、反应路线短，为其生物活性评价和构效关系的研究提供了重要物质基础和保障。
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公开(公告)号：CN116555719A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310571256.7
申请日：2023-05-18
Applicant: 浙江生波智能装备有限公司 , 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜沉积系统，包括：真空腔室，真空腔室内设有：阴极；阳极，设置在阴极的相对面，在阴极与阳极之间形成电磁场空间，在电磁场空间内产生等离子体；靶材，设置在阴极和/或阳极上，适用于在电磁场空间内在等离子体的溅射下产生靶材粒子；配有加热器的衬底基板，设置在阴极和阳极的侧面，适用于支撑衬底，以使被等离子体激发活性的靶材粒子和被等离子体激活的第一流体扩散输运至衬底上热生长成膜；运动装置，设置在衬底基板上，适用于控制衬底基板沿阳极与阴极相对的方向运动；以及进气系统，适用于将第一流体输运至真空腔室内。本发明提供的薄膜沉积系统和沉积方法，可以在避免直接轰击损伤衬底及低温条件下在衬底上生长薄膜。
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公开(公告)号：CN115954392A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211731617.1
申请日：2022-12-30
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池中的电子传输层的制备方法，包括：在晶硅衬底两侧分别形成第一钝化层和第二钝化层；将晶硅衬底上形成有第一钝化层的一面密封；将密封后的晶硅衬底置于化学浴的反应溶液中，在晶硅衬底的未密封的一面沉积与晶硅衬底能带匹配的电子传输层；以及对沉积得到的电子传输层退火处理。本发明还提供一种利用上述的制备方法得到的电子传输层，通过形成与晶硅衬底的能带匹配的电子传输层，阻挡空穴向背电极的传输，降低空穴与电子在背电极的复合，提升太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115197188B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202110388629.8
申请日：2021-04-12
Applicant: 南开大学
IPC: C07D311/00
Abstract: 本发明提供了式(I)所示的一类具有五环骨架的倍半萜氢醌化合物及其制备方法。该方法以Wieland–Miescher酮的衍生物1为起始原料，简单高效地完成了一类具有五环骨架的倍半萜氢醌化合物的合成，本发明合成方法操作简单、反应条件温和、反应路线短，为其生物活性评价和构效关系的研究提供了重要物质基础和保障。#imgabs0#
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