公开(公告)号：CN105244403B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201510670067.0

申请日：2015-10-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈平 ,  卢亚宾 ,  刘伟伟 ,  张振中 ,  李博研 ,  赵东旭 ,  林列

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种非晶硅PIN光电池，包括依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层、p型非晶硅层和亚微米银颗粒层。上述非晶硅PIN光电池，当亚微米银颗粒被入射光激发时，其内部的自由电子产生的局域表面等离子体共振效应，通过将亚微米银颗粒与依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层和p型非晶硅层结合相互作用，能够有效提高非晶硅PIN光电池的光谱响应能力。此外，还提供一种非晶硅PIN光电池的制备方法。

公开(公告)号：CN105244403A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510670067.0

申请日：2015-10-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈平 ,  卢亚宾 ,  刘伟伟 ,  张振中 ,  李博研 ,  赵东旭 ,  林列

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/075 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/202

Abstract: 一种非晶硅PIN光电池，包括依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层、p型非晶硅层和亚微米银颗粒层。上述非晶硅PIN光电池，当亚微米银颗粒被入射光激发时，其内部的自由电子产生的局域表面等离子体共振效应，通过将亚微米银颗粒与依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层和p型非晶硅层结合相互作用，能够有效提高非晶硅PIN光电池的光谱响应能力。此外，还提供一种非晶硅PIN光电池的制备方法。

公开(公告)号：CN102544138A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210027169.7

申请日：2012-02-08

Applicant: 南开大学

Inventor： 张毅 ,  李博研 ,  孙云 ,  周志强 ,  刘玮

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种设置AlN薄膜层的铜铟镓硒薄膜太阳电池，包括衬底、Mo背电极层、CIGS吸收层、CdS缓冲层、本征氧化锌(i-ZnO)层、掺杂氧化锌(ZnO:Al)窗口层和前电极镍铝，在衬底与Mo背电极层之间设置AlN薄膜层，金属衬底时AlN薄膜层作为电绝缘杂质阻挡层，玻璃衬底时AlN薄膜层作为杂质阻挡和应力过渡层，聚合物衬底时AlN薄膜层作为热缓冲层。本发明的优点是：采用简单、低廉的磁控溅射技术，制备氮化铝(AlN)薄膜作为衬底的杂质阻挡层或电绝缘层，即使在较高衬底温度下制备太阳电池，也能够对金属原子具有很好的阻挡效果且保持其绝缘特性，为制造内联式金属箔衬底薄膜太阳电池提供了先决条件。

公开(公告)号：CN102509737A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110340793.8

申请日：2011-11-02

Applicant: 南开大学

Inventor： 张毅 ,  孙云 ,  李博研 ,  周志强 ,  刘玮

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种柔性不锈钢衬底铜铟镓硒薄膜太阳电池，为不锈钢箔衬底与多层膜组合结构，所述多层膜包括底电极、吸收层、缓冲层、本征ZnO层、掺铝ZnO层和栅电极并依次叠加构成，其制备方法：在不锈钢衬底上采用磁控溅射法沉积双层Mo背电极，采用三步共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层，用化学水浴法制备CdS缓冲层，用磁控溅射法制备本征ZnO层和掺铝ZnO层，用热蒸发法制备Ni/Al栅电极。本发明的优点是：该方法制备出具有（220）择优生长结构的铜铟镓硒薄膜，解决了阻挡层与其它接触层结合力差的问题，简化制备工艺；该薄膜太阳电池在AM1.5光照条件下，电池效率超过11.0％，应用到太阳电池领域具有重要的推动作用。