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公开(公告)号:CN105244403B
公开(公告)日:2017-07-14
申请号:CN201510670067.0
申请日:2015-10-16
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0216 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种非晶硅PIN光电池,包括依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层、p型非晶硅层和亚微米银颗粒层。上述非晶硅PIN光电池,当亚微米银颗粒被入射光激发时,其内部的自由电子产生的局域表面等离子体共振效应,通过将亚微米银颗粒与依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层和p型非晶硅层结合相互作用,能够有效提高非晶硅PIN光电池的光谱响应能力。此外,还提供一种非晶硅PIN光电池的制备方法。
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公开(公告)号:CN105244403A
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201510670067.0
申请日:2015-10-16
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0216 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/075 , H01L31/02168 , H01L31/202
Abstract: 一种非晶硅PIN光电池,包括依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层、p型非晶硅层和亚微米银颗粒层。上述非晶硅PIN光电池,当亚微米银颗粒被入射光激发时,其内部的自由电子产生的局域表面等离子体共振效应,通过将亚微米银颗粒与依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层和p型非晶硅层结合相互作用,能够有效提高非晶硅PIN光电池的光谱响应能力。此外,还提供一种非晶硅PIN光电池的制备方法。
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