一种基于室温钙钛矿的柔性人工突触及其制备方法

    公开(公告)号:CN115036422A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202210533921.9

    申请日:2022-05-17

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明为一种基于室温钙钛矿的柔性人工突触及其制备方法。所述的人工突触由四部分组成,从上到下依次为:ITO衬底、半导体有源层、高分子钝化层和顶电极;其中,所述的高分子钝化层为聚醚酯酰亚胺(PEAI)薄膜,其厚度为5~15纳米;制备方法以乙腈为溶剂,无需高温退火,在室温下即可完成蒸发结晶,得到钙钛矿半导体薄膜。通过在钙钛矿薄膜上旋涂制备高分子钝化层,实现了薄膜中缺陷态的下降,提高了能量利用率。本发明首次实现钙钛矿人工突触的全室温制备,克服了当前钙钛矿基人工突触器件制备所需的高温退火等后处理的繁杂操作,简化了制备过程,降低了突触能耗,提升了突触弯折稳定性。

    一种具有色/电双权重调控的人工突触器件

    公开(公告)号:CN116451753A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310287657.X

    申请日:2023-03-23

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明为一种具有色/电双权重调控的人工突触器件。该器件的组成包括:衬底的表面边缘,分别间隔分布有源极和漏极,源极、漏极以及二者之间的衬底表面,都覆盖有纳米线薄膜;纳米线薄膜上依次覆盖有Nafion薄膜和离子胶。本发明得到的器件能够在电刺激下同时实现颜色权重与电导权重的双重调节,且使这两种权重都具有极短的突触可塑性,在撤去刺激仅1秒后,兴奋性色度完全降为0,而残留的兴奋性突触后电流降为初始值的1/3000。

    一种基于三维突触的人工环路模体结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN115394921A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202211118930.8

    申请日:2022-09-13

    Applicant: 南开大学

    Inventor: 徐文涛 刘甲奇

    Abstract: 本发明为一种基于三维突触的人工环路模体结构及其制备方法。该结构分为上、中、下三层;底层包括:衬底,衬底上分布有第二金属氧化物掺杂纳米线;L形的第一源极和第一漏极的竖边分列第二金属氧化物掺杂纳米线的两侧;中层为离子胶栅介质层,覆盖在底层上;上层包括L形顶部源级、第一金属氧化物掺杂纳米线、L形顶部漏级;其中,顶部第一金属氧化物掺杂纳米线的投影位置与底层的第二金属氧化物掺杂纳米线呈60~90°夹角;“L型”的第二源极和第二漏极相向而置。本发明可实现突触器件的多端三维调制以及与生物神经环路中相似的相互抑制模式,对未来神经修复以及大规模类脑集成运算存在重要意义。

    一种基于三维突触的人工环路模体结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN115394921B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202211118930.8

    申请日:2022-09-13

    Applicant: 南开大学

    Inventor: 徐文涛 刘甲奇

    Abstract: 本发明为一种基于三维突触的人工环路模体结构及其制备方法。该结构分为上、中、下三层;底层包括:衬底,衬底上分布有第二金属氧化物掺杂纳米线;L形的第一源极和第一漏极的竖边分列第二金属氧化物掺杂纳米线的两侧;中层为离子胶栅介质层,覆盖在底层上;上层包括L形顶部源级、第一金属氧化物掺杂纳米线、L形顶部漏级;其中,顶部第一金属氧化物掺杂纳米线的投影位置与底层的第二金属氧化物掺杂纳米线呈60~90°夹角;“L型”的第二源极和第二漏极相向而置。本发明可实现突触器件的多端三维调制以及与生物神经环路中相似的相互抑制模式,对未来神经修复以及大规模类脑集成运算存在重要意义。

    一种石墨炔基手性异构纳流体忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118475225A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410543943.2

    申请日:2024-05-06

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明为一种石墨炔基手性异构纳流体忆阻器及其制备方法。所述纳流体忆阻器的结构包括两个Ag/AgCl电极、负载有手性石墨炔的三维笼式框架以及氯化钠/色氨酸水溶液池;其中,所述的三维笼式框架为3D打印的三维结构;所述的手性石墨炔负载在三维笼式框架上;所述的两端电极为两个氯化银Ag/AgCl电极;所述的氯化钠/色氨酸水溶液池中的溶液为含有氯化钠和待测的色氨酸的溶液。本发明成功制备了可在液态环境中稳定工作并具有高响应速度(0.5ms/尖峰)的石墨炔基手性异构纳流体忆阻器。

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