公开(公告)号：CN100511714C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200710131530.X

申请日：2007-09-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  闾锦 ,  陈裕斌 ,  左正 ,  濮林 ,  张荣 ,  韩平 ,  顾书林 ,  郑有炓

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28

Abstract: 基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶粒；应用渐变锗硅异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。本发明使用硅烷SiH4或乙硅烷Si2H6采用低压化学气相沉积方法LPCVD淀积纳米量级的非晶硅薄膜，然后使用锗烷GeH4采用低压化学气相沉积技术自组织生长得到锗纳米晶粒；取出样品采用选择刻蚀除去锗浸润层，通过高温退火促进锗硅间的互扩散，然后采用化学选择腐蚀剂得到锗硅异质纳米结构。

公开(公告)号：CN1870299A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610085590.8

申请日：2006-06-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  闾锦 ,  杨红官 ,  张荣 ,  濮林 ,  韩平 ,  顾书林 ,  朱顺明 ,  郑有炓

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/40 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明涉及一种基于纳米晶粒的半导体非挥发性浮栅存储器，提出基于纳米异质结构的新型非挥发性浮栅存储器，一种基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器，其包括：半导体衬底；在半导体衬底中掺杂形成源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方氧化形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备异质纳米结构；然后淀积控制氧化层和栅极；应用异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。从而可以在编程时间基本不变的前提下，使存储时间显著增加，解决硅纳米晶粒浮栅存储器的编程时间与存储时间之间的矛盾，达到使纳米结构浮栅存储器既能快速擦写编程，又能长久存储。

公开(公告)号：CN101123277A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710131530.X

申请日：2007-09-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  闾锦 ,  陈裕斌 ,  左正 ,  濮林 ,  张荣 ,  韩平 ,  顾书林 ,  郑有炓

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28

Abstract: 基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶粒；应用渐变锗硅异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。本发明使用硅烷SiH4或乙硅烷Si2H6采用低压化学气相外延方法LPCVD淀积纳米量级的非晶硅薄膜，然后使用锗烷GeH4采用低压化学气相外延技术自组织生长得到锗纳米晶粒；取出样品采用选择刻蚀除去锗浸润层，通过高温退火促进锗硅间的互扩散，然后采用化学选择腐蚀剂得到锗硅异质纳米结构。