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公开(公告)号：CN110444618B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910732617.5
申请日：2019-08-09
Applicant: 南京大学 , 南京大学深圳研究院 , 中电科技德清华莹电子有限公司
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种基于非晶氧化镓薄膜的柔性日盲紫外探测器，探测器以高分子(如PET、聚酰亚胺)薄膜或织物为柔性衬底，使用超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)(半导体层)为光探测材料，使用金属或氮化钛(TiN)半导体作为电极材料，通过光刻、刻蚀和薄膜沉积等半导体工艺制备肖特基接触电极层，形成金属电极‑半导体层‑金属电极(MSM)结构探测器，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测。
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公开(公告)号：CN110444618A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910732617.5
申请日：2019-08-09
Applicant: 南京大学 , 南京大学深圳研究院 , 中电科技德清华莹电子有限公司
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种基于非晶氧化镓薄膜的柔性日盲紫外探测器，探测器以高分子(如PET、聚酰亚胺)薄膜或织物为柔性衬底，使用超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)(半导体层)为光探测材料，使用金属或氮化钛(TiN)半导体作为电极材料，通过光刻、刻蚀和薄膜沉积等半导体工艺制备肖特基接触电极层，形成金属电极-半导体层-金属电极(MSM)结构探测器，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测。
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公开(公告)号：CN106645323B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201611079255.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器，在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构，通过光刻、热蒸发等半导体工艺在异质结构制作电极，形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的化学传感器。ZnMgO/ZnO异质界面形成二维电子气(2DEG)，吸附于器件传感区域的极性溶剂分子可以影响异质界面二维电子气(2DEG)的浓度，通过器件漏源电流的变化，从而实现对多种极性溶剂的探测。
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公开(公告)号：CN106601881B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710093149.2
申请日：2017-02-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED芯片经剥离和转移后，形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED，可降低器件成本，并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，剥离工艺简单，成本低，有利于实现柔性衬底的照明工程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106645323A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611079255.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/26
CPC classification number: G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器，在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构，通过光刻、热蒸发等半导体工艺在异质结构制作电极，形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的化学传感器。ZnMgO/ZnO异质界面形成二维电子气(2DEG)，吸附于器件传感区域的极性溶剂分子可以影响异质界面二维电子气(2DEG)的浓度，通过器件漏源电流的变化，从而实现对多种极性溶剂的探测。
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公开(公告)号：CN106601881A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710093149.2
申请日：2017-02-21
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0079
Abstract: 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED芯片经剥离和转移后，形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED，可降低器件成本，并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，剥离工艺简单，成本低，有利于实现柔性衬底的照明工程。
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公开(公告)号：CN108807586B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810399948.7
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器，包括β相的氧化镓衬底、金属(Au)叉指状电极、绝缘介质钝化层和另一同晶体取向的β相氧化镓单晶滤光片，在(100)、(001)或(010)β相的单晶衬底上沉积金属得到叉指状电极阵列，然后覆盖绝缘介质钝化层，所述绝缘介质钝化层漏出金属(Au)叉指状电极；氧化镓单晶滤光片是位于Au叉指状电极器件的上方2‑5mm处放置，氧化镓单晶滤光片的晶体取向与衬底相同，面积稍大于衬底，氧化镓单晶滤光片面内晶体取向垂直于氧化镓衬底。上述器件具有封装结构，可以实现阵列化信号输出。本探测器能实现有效的滤除杂波，增强对短波的抑制作用，实现窄带的日盲紫外探测器；探测器结构简单，成本较低，抑制较高，有利于推广使用。
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公开(公告)号：CN108807586A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810399948.7
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器，包括β相的氧化镓衬底、金属(Au)叉指状电极、绝缘介质钝化层和另一同晶体取向的β相氧化镓单晶滤光片，在(100)、(001)或(010)β相的单晶衬底上沉积金属得到叉指状电极阵列，然后覆盖绝缘介质钝化层，所述绝缘介质钝化层漏出金属(Au)叉指状电极；氧化镓单晶滤光片是位于Au叉指状电极器件的上方2‑5mm处放置，氧化镓单晶滤光片的晶体取向与衬底相同，面积稍大于衬底，氧化镓单晶滤光片面内晶体取向垂直于氧化镓衬底。上述器件具有封装结构，可以实现阵列化信号输出。本探测器能实现有效的滤除杂波，增强对短波的抑制作用，实现窄带的日盲紫外探测器；探测器结构简单，成本较低，抑制较高，有利于推广使用。
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公开(公告)号：CN107887452A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710933791.7
申请日：2017-10-10
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02161 , H01L31/0264 , H01L31/1892 , H01L31/1896
Abstract: 一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法，ZnO基薄膜是在蓝宝石衬底上使用MOCVD方法生长的外延层薄膜，采用先低温缓冲层然后现高温外延生长相结合的两步生长法，解决蓝宝石衬底与ZnO材料之间的失配；低温缓冲层厚度约为200-400nm，高温外延层厚度约为2-5μm；然后采用激光剥离的方法将制备的ZnO基外延层与蓝宝石衬底的分离：激光剥离外延层时，调节激光光束聚焦于样品，从蓝宝石一侧照射样品，蓝宝石对该入射激光透明，而ZnO对该激光有强烈吸收。本发明提出的获得ZnO基自支撑薄膜的剥离工艺简单，成本低，易于制备，有利于改善ZnO基光电子器件性能和制备柔性电子器件。
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