公开(公告)号：CN105417545B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201510632181.4

申请日：2015-09-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱嘉 ,  宗麟奇 ,  崔屹

IPC: C01B33/037

Abstract: 本发明通过酸洗平均粒度小于40微米的原料硅颗粒，有效降低了原料硅中杂质的含量，获得了高纯度硅颗粒。该高纯度硅颗粒作为锂离子电池负极材料，表现出较好的循环能力和倍率能力。

公开(公告)号：CN105417545A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510632181.4

申请日：2015-09-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱嘉 ,  宗麟奇 ,  崔屹

IPC: C01B33/037

Abstract: 本发明通过酸洗平均粒度小于40微米的原料硅颗粒，有效降低了原料硅中杂质的含量，获得了高纯度硅颗粒。该高纯度硅颗粒作为锂离子电池负极材料，表现出较好的循环能力和倍率能力。

公开(公告)号：CN106684364B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201710056842.2

申请日：2017-01-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱嘉 ,  宗麟奇 ,  刘畅

IPC: H01M4/36 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及纳米多孔材料及其制备方法。该多孔材料含有M单质，M为Si和/或Ge；该多孔材料的粒度为20～150nm，孔隙率为0.2～0.8，比表面积为15～300m2/g。该多孔材料作为电极材料具有较好的性能。

公开(公告)号：CN106684364A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201710056842.2

申请日：2017-01-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱嘉 ,  宗麟奇 ,  刘畅

IPC: H01M4/36 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及纳米多孔材料及其制备方法。该多孔材料含有M单质，M为Si和/或Ge；该多孔材料的粒度为20～150nm，孔隙率为0.2～0.8，比表面积为15～300m2/g。该多孔材料作为电极材料具有较好的性能。