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公开(公告)号：CN101777615A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010018325.4
申请日：2010-01-13
Applicant: 南京大学 , 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片，采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法，在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法，包括以下步骤：a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜；b.置于电化学池内的酸溶液中加电压，用电化学方法实现阳极氧化，使铝膜成为多孔氧化铝；c.继续加电压至60～200V，用电化学方法腐蚀GaN基片表面，在GaN层表面形成多孔结构；d.去掉表面的氧化物，得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构，使GaN-空气界面的光传播随机化，最大程度减少了界面全反射，极大地提高了光引出效率。
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公开(公告)号：CN101777615B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201010018325.4
申请日：2010-01-13
Applicant: 南京大学 , 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片，采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法，在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法，包括以下步骤：a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜；b.置于电化学池内的酸溶液中加电压，用电化学方法实现阳极氧化，使铝膜成为多孔氧化铝；c.继续加电压至60～200V，用电化学方法腐蚀GaN基片表面，在GaN层表面形成多孔结构；d.去掉表面的氧化物，得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构，使GaN-空气界面的光传播随机化，最大程度减少了界面全反射，极大地提高了光引出效率。
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公开(公告)号：CN119181750B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411679890.3
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H10H29/03 , H01L21/683
Abstract: 发明公开了一种PI辅助Micro‑LED巨量转移方法，包括以下步骤：在衬底上制备Micro‑LED芯片；在第一基板表面设置结合层、UV解胶层；将第一基板与Micro‑LED芯片的n型电极和p型电极临时键合；将Micro‑LED芯片剥离至UV解胶层上；将Micro‑LED芯片表面形成PI固化膜；在第二基板表面设PI半固化膜，将PI固化膜与半固化膜键合，UV解胶层与Micro‑LED芯片分离，将Micro‑LED芯片转移到第二基板上；使Micro‑LED芯片转移到电路板上；去除PI固化膜和PI半固化膜。本发明能够满足巨量转移的大规模、高良率、低成本以及高速转移的需求，兼容各尺寸芯片转移。
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公开(公告)号：CN116364745B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202310288997.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法，其结构包括可用于GaN生长的衬底材料上依次外延MOSFET和LED结构，并通过半导体工艺流程制备出MOSFET和LED所需的栅介质层和金属电极层。本发明在可用于GaN生长材料上表面一次外延MOSFET结构和LED结构，MOSFET的漏电极与LED器件的p电极共用，使MOSFET结构与LED结构串联，通过MOSFET栅极调控通过MOSFET中的电流，即流过LED的电流，达到MOSFET调控LED发光的目的，形成垂直型MOSFET‑LED集成芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115692538B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202211400883.6
申请日：2022-11-09
Applicant: 南京大学
IPC: H10F30/222 , H10F77/20 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于Mxene‑铝铟镓氮异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法，其衬底材料为蓝宝石基片上外延生长的AlInGaN半导体，探测器表面分别为金属电极、Mxene薄层和测试电极，其中Mxene与AlInGaN构成异质结。Mxene和AlInGaN的功函数差使得异质结界面处产生肖特基势垒，可在零偏压下分离光生电子/空穴对，输出光电流，即探测器具备自驱动功能。Mxene薄层具有良好的紫外透光性，能够扩大器件的感光面积，同时探测器的负极退火后与AlInGaN形成欧姆接触，可快速收集电子，提高探测器的工作效率。本发明还提供了Mxene‑AlInGaN异质结的激光剥离转移方法，可进一步制得柔性自驱动紫外光探测器。
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公开(公告)号：CN119325318A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411794697.4
申请日：2024-12-09
IPC: H10H29/30 , H10H29/855 , H10H29/01 , G09F9/33
Abstract: 本申请公开了一种显示面板及其制作方法，涉及显示领域，该显示面板包括：沿垂直于显示面板所在平面方向排布的第一阵列芯片、第二阵列芯片和第三阵列芯片；第一阵列芯片包括多个第一发光单元；第三阵列芯片位于第一阵列芯片的出光侧，第三阵列芯片包括多个第二发光单元，第三阵列芯片远离第一阵列芯片的一侧为显示面板的出光侧；第二阵列芯片位于第一阵列芯片和第三阵列芯片之间，用于为第一发光单元和第二发光单元提供显示驱动信号；第一发光单元所在层和第二发光单元所在层之间设置有光线处理层，光线处理层用于基于部分第一发光单元出射的光线形成第三颜色的光线出射。该显示面板可以实现更高的集成度、更高的性能、更高的可靠性及更低的功耗。
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公开(公告)号：CN118039363A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410272256.1
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明公开了一种利用极化电场的光电化学电池的光电阳极，在AlGaN/GaN异质结外延片上设置周期排列的圆柱金属电极。本发明提供的光电阳极结构，在AlGaN层与GaN层间有高浓度的二维电子气，受极化效应影响，A1GaN/GaN异质结由于导带不连续性在AIGaN/GaN界面处形成比较深的三角势阱，界面处的二维电子气被束缚在三角势阱中。在太阳光照射下产生光生电子空穴对，光生电子空穴对受极化电场作用分离，光生空穴向上移动，由周期排列的圆柱金属电极收集，加速光生空穴与电解液发生析氧反应；光生电子向下移动，汇入二维电子气，二维电子气通过金属电极通过外电路传导到铂对电极，与溶液发生析氢反应。
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公开(公告)号：CN116632135A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310639955.0
申请日：2023-06-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种交流电场驱动条件下具有电场增强能力的GaN基纳米LED结构，所述GaN基纳米LED结构形成贯穿ITO层、p型GaN层、多量子阱有源层、n型GaN层，深至GaN缓冲层的纳米柱结构，所述纳米柱结构在多量子阱有源层的横截面积最小，往纳米柱两端的方向横截面积逐渐增加，形成中间细、两端粗的柱状结构。本发明提出的纳米柱在量子阱MQW层较细，P型和N型GaN层粗，形成中间细、两端粗的结构。该GaN基纳米柱形状能够提高交流电场环境中，量子阱层内的电场强度，同时增加电流驱动下纳米柱结构中在量子阱区域的电流密度，形成很强的电场增益和电流增益，从而提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN116470960A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310150490.2
申请日：2023-02-22
Applicant: 南京大学
IPC: H04B10/077 , H04B10/116
Abstract: 本发明公开了一种LED调制带宽快速测试系统，包括直流电源；偏置器；激光器，用于激发LED样品发光，实现光信号‑电信号‑光信号的转变；透射组件，用于整体光线的聚焦；滤光片，用于排除激光对LED发光的影响；光电探测器，检测到LED发出的光信号，并转变为电信号输出；矢量网络分析仪，分析两端口信号以绘制频率响应曲线，从而得到LED的调制带宽。本发明可以实现在不封装LED情况下对其通信性能进行测试的功能，并且可以通过激光扫描实现同时测量多个LED的调制带宽的功能。利用本发明的装置可以实现快速测量，并且光激发可以达到对LED样品零损伤的效果。
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