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公开(公告)号：CN119470598A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510058540.3
申请日：2025-01-14
IPC: G01N27/414 , B01L3/00
Abstract: 本申请提供一种半导体场效应晶体管液体传感器及其制造方法，包括：基板、半导体场效应晶体管和微流道结构。微流道结构包括基片、参比电极和盖片。基片包括沟槽，沟槽用于放置参比电解液，参比电极至少覆盖沟槽的侧壁。盖片设置于基片远离基板的一侧表面，盖片覆盖沟槽，盖片用于进行参比电解液和待测溶液之间的离子交换，从而实现液体传感器进行检测的功能。由此可见，本申请通过利用包括沟槽的基片，覆盖沟槽侧壁的参比电极以及密封参比电解液的盖片形成集成度较高的微流道结构，微流道结构和半导体场效应晶体管集成在同一个基板上，进一步提高集成度，从而最终实现半导体场效应晶体管液体传感器的微型化，从而满足多种场景的检测需求。
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公开(公告)号：CN119470598B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510058540.3
申请日：2025-01-14
IPC: G01N27/414 , B01L3/00
Abstract: 本申请提供一种半导体场效应晶体管液体传感器及其制造方法，包括：基板、半导体场效应晶体管和微流道结构。微流道结构包括基片、参比电极和盖片。基片包括沟槽，沟槽用于放置参比电解液，参比电极至少覆盖沟槽的侧壁。盖片设置于基片远离基板的一侧表面，盖片覆盖沟槽，盖片用于进行参比电解液和待测溶液之间的离子交换，从而实现液体传感器进行检测的功能。由此可见，本申请通过利用包括沟槽的基片，覆盖沟槽侧壁的参比电极以及密封参比电解液的盖片形成集成度较高的微流道结构，微流道结构和半导体场效应晶体管集成在同一个基板上，进一步提高集成度，从而最终实现半导体场效应晶体管液体传感器的微型化，从而满足多种场景的检测需求。
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公开(公告)号：CN119325318B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411794697.4
申请日：2024-12-09
IPC: H10H29/30 , H10H29/855 , H10H29/01 , G09F9/33
Abstract: 本申请公开了一种显示面板及其制作方法，涉及显示领域，该显示面板包括：沿垂直于显示面板所在平面方向排布的第一阵列芯片、第二阵列芯片和第三阵列芯片；第一阵列芯片包括多个第一发光单元；第三阵列芯片位于第一阵列芯片的出光侧，第三阵列芯片包括多个第二发光单元，第三阵列芯片远离第一阵列芯片的一侧为显示面板的出光侧；第二阵列芯片位于第一阵列芯片和第三阵列芯片之间，用于为第一发光单元和第二发光单元提供显示驱动信号；第一发光单元所在层和第二发光单元所在层之间设置有光线处理层，光线处理层用于基于部分第一发光单元出射的光线形成第三颜色的光线出射。该显示面板可以实现更高的集成度、更高的性能、更高的可靠性及更低的功耗。
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公开(公告)号：CN116978850A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310959615.6
申请日：2023-07-31
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种磁组装微器件转移组装结构及转移组装方法。磁组装微器件转移组装结构包括：具有微纳尺度的临时转移微器件，包括微器件和磁性连接层，磁性连接层可分离地固定在微器件上；磁平台，包括沿第一方向依次设置的磁性发生层和图案化软磁材料层，磁性发生层至少用于提供可调节的磁场，磁性发生层与位于磁场内的磁性连接层能够磁性吸引，图案化软磁材料层至少用于引导磁场中的磁力线，而使具有微纳尺度的临时转移微器件能够被磁性吸引固定在磁平台上，或者，使具有微纳尺度的临时转移微器件能够从磁平台上脱离。本发明通过磁吸方式选择性吸附或退吸带微器件能够完成RGB三色模块的选择性转移以及后续良率检测和修复工作。
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公开(公告)号：CN119325318A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411794697.4
申请日：2024-12-09
IPC: H10H29/30 , H10H29/855 , H10H29/01 , G09F9/33
Abstract: 本申请公开了一种显示面板及其制作方法，涉及显示领域，该显示面板包括：沿垂直于显示面板所在平面方向排布的第一阵列芯片、第二阵列芯片和第三阵列芯片；第一阵列芯片包括多个第一发光单元；第三阵列芯片位于第一阵列芯片的出光侧，第三阵列芯片包括多个第二发光单元，第三阵列芯片远离第一阵列芯片的一侧为显示面板的出光侧；第二阵列芯片位于第一阵列芯片和第三阵列芯片之间，用于为第一发光单元和第二发光单元提供显示驱动信号；第一发光单元所在层和第二发光单元所在层之间设置有光线处理层，光线处理层用于基于部分第一发光单元出射的光线形成第三颜色的光线出射。该显示面板可以实现更高的集成度、更高的性能、更高的可靠性及更低的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113224216B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110521392.6
申请日：2021-05-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构，所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上，并与所述p型层和n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。本发明实施例提供的倒装LED芯片具有出光效率高、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单，成本低廉，更适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111525010B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010362919.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高发光效率的深紫外发光二极管芯片及其制作方法。该高发光效率的深紫外发光二极管芯片包括外延结构以及与所述外延结构相匹配的P型电极、N型电极，其中，所述外延结构包括依次叠层设置的p‑AlGaN层、多量子阱层以及n‑AlGaN层，所述n‑AlGaN层上形成有台面，所述台面包含多个六棱锥体结构。本发明实施例提供一种高发光效率的深紫外发光二极管芯片，在对n‑AlGaN进行图形化的同时，基于特定图形、尺寸以及表面覆盖率的设置，有效降低了DUV LED的全反射，并显著提高了DUV LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN113224216A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110521392.6
申请日：2021-05-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构，所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上，并与所述p型层和n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。本发明实施例提供的倒装LED芯片具有出光效率高、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单，成本低廉，更适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN105023858B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510308515.2
申请日：2015-06-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公布了一种集成石墨烯温度传感的LED器件及其制造方法，该器件在芯片上包含LED发光器件和温度传感器件。温度传感器件是一种石墨烯器件。LED发光器件和温度传感器件采用背对背的上下堆叠结构，上方是LED发光器件，下方是温度传感器件。可以通过测量温度传感器件中石墨烯薄膜电阻随温度的变化监测LED发光器件的结温。本发明提供的集成石墨烯温度传感LED器件不仅能够实时、准确、稳定的反映LED器件的结温，而且能够有效的提高LED发光器件的出光率和改善整个器件的散热。
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