公开(公告)号：CN117758172B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202311824604.3

申请日：2023-12-27

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 李景利 ,  徐洪杰 ,  韩修柱 ,  于智磊 ,  薛志勇 ,  徐俊瑞

IPC: C22C47/04 ,  C22C47/06 ,  C22C47/08 ,  C22C49/04 ,  C22C49/14 ,  C22F1/06 ,  C22F1/18 ,  C21D9/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y40/20 ,  B33Y80/00 ,  C22C23/06 ,  C23C2/12 ,  G21F1/08 ,  C22C111/02

Abstract: 本发明涉及一种兼具良好屏蔽性能的高强Mg‑Ta复合材料及其制备方法与应用，属于金属基复合材料技术领域。解决了现有技术中Mg‑Ta复合材料的制备方法生产效率不高等技术问题。本发明的制备方法，首先建立具有三维互穿网络结构的Ta预制体的三维模型；然后制备该Ta预制体，再对该Ta预制体进行表面预处理和浸镀铝；然后按照Mg合金中各成分含量配料，真空熔炼，得到熔融Mg液：最后将表面镀铝的Ta预制体浸入熔融Mg液，保温，冷却，去除多余Mg合金，热处理，得到Mg‑Ta复合材料。该制备方法生产效率高，工艺稳定性高，制备的Mg‑Ta复合材料具备高强度和良好的屏蔽性能，能够作为抗辐射轻质复合材料的应用。

公开(公告)号：CN117758172A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311824604.3

申请日：2023-12-27

Applicant: 华北电力大学 ,  北京空间飞行器总体设计部 ,  内蒙古工业大学

Inventor： 李景利 ,  徐洪杰 ,  韩修柱 ,  于智磊 ,  薛志勇 ,  徐俊瑞

IPC: C22C47/04 ,  C22C47/06 ,  C22C47/08 ,  C22C49/04 ,  C22C49/14 ,  C22F1/06 ,  C22F1/18 ,  C21D9/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y40/20 ,  B33Y80/00 ,  C22C23/06 ,  C23C2/12 ,  G21F1/08 ,  C22C111/02

Abstract: 本发明涉及一种兼具良好屏蔽性能的高强Mg‑Ta复合材料及其制备方法与应用，属于金属基复合材料技术领域。解决了现有技术中Mg‑Ta复合材料的制备方法生产效率不高等技术问题。本发明的制备方法，首先建立具有三维互穿网络结构的Ta预制体的三维模型；然后制备该Ta预制体，再对该Ta预制体进行表面预处理和浸镀铝；然后按照Mg合金中各成分含量配料，真空熔炼，得到熔融Mg液：最后将表面镀铝的Ta预制体浸入熔融Mg液，保温，冷却，去除多余Mg合金，热处理，得到Mg‑Ta复合材料。该制备方法生产效率高，工艺稳定性高，制备的Mg‑Ta复合材料具备高强度和良好的屏蔽性能，能够作为抗辐射轻质复合材料的应用。