公开(公告)号：CN110137298B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201910526744.X

申请日：2019-06-18

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 陈诺夫 ,  陈梦 ,  陶泉丽 ,  常甄文

IPC: H01L31/078 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了GaAs基多结太阳电池的Ge/Si异质结底电池制备方法，其包括以下步骤：1)选取p型单晶硅衬底；2)在p‑Si上生长掺杂磷元素的n型Ge薄膜，形成Ge/Si异质结底电池；3)在n‑Ge薄膜上，采用MOCVD技术生长GaAs缓冲层；4)在所得GaAs缓冲层上采用MOCVD技术生长第一个隧道结；5)在所得第一个隧道结上采用MOCVD技术生长GaAs中间电池；6)在所得GaAs中间电池上采用MOCVD技术生长第二个隧道结；7)在所得第二个隧道结上采用MOCVD技术生长InGaP顶电池；8)在所得InGaP顶电池上生长窗口层；9)在所得窗口层上生长GaAs欧姆接触层；10)在所得接触层上选区刻蚀后生长减反射膜；11)制备上下表面金属电极，并完成多结太阳电池的制备。

公开(公告)号：CN110137298A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910526744.X

申请日：2019-06-18

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 陈诺夫 ,  陈梦 ,  陶泉丽 ,  常甄文

IPC: H01L31/078 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了GaAs基多结太阳电池的Ge/Si异质结底电池制备方法，其包括以下步骤：1)选取p型单晶硅衬底；2)在p-Si上生长掺杂磷元素的n型Ge薄膜，形成Ge/Si异质结底电池；3)在n-Ge薄膜上，采用MOCVD技术生长GaAs缓冲层；4)在所得GaAs缓冲层上采用MOCVD技术生长第一个隧道结；5)在所得第一个隧道结上采用MOCVD技术生长GaAs中间电池；6)在所得GaAs中间电池上采用MOCVD技术生长第二个隧道结；7)在所得第二个隧道结上采用MOCVD技术生长InGaP顶电池；8)在所得InGaP顶电池上生长窗口层；9)在所得窗口层上生长GaAs欧姆接触层；10)在所得接触层上选区刻蚀后生长减反射膜；11)制备上下表面金属电极，并完成多结太阳电池的制备。

公开(公告)号：CN205300757U

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201620042383.3

申请日：2016-01-18

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 殷卓君 ,  常甄文 ,  张超宇 ,  宋记锋

IPC: G01J1/00

Abstract: 本实用新型专利公开了一种太阳光照度测量仪，包括照度计及用于支撑、定位照度计的三脚架，其特征在于：所述的照度计的光探头接收器部连接有一个遮光筒，照度计尾部通过螺纹结构连接有可旋转的刻度盘，刻度盘底部连接在三脚架上，本装置以照度计为核心器件，在其测量端加装遮光筒，可极大程度反射、吸收掉间接辐照以及地面光源对检测结果的影响，同时，遮光筒上带有对光孔，可使照度计对准太阳所在位置；在照度计下端加装三脚架，较手持测量更加稳定。在照度计与三脚架连接部位加装刻度盘，扩展了照度计检测位置的范围。而且本装置实现了对光、小角度调节测量位置等功能，为全面测量太阳照度在大气中的分布、衰减状况提供了可能。