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发明公开
一种超晶格相变薄膜及相变存储器审中-实审

公开(公告)号：CN115589770A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202110759571.3

申请日：2021-07-05

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 程晓敏 , 张博凯 , 曾运韬 , 缪向水 , 马平 , 廖宇 , 石晓钟

IPC: H10N70/20 , H10B63/10

Abstract: 本申请实施例提供了一种超晶格相变薄膜，包括第一相变材料层和第二相变材料层，所述第一相变材料层和所述第二相变材料层交替堆叠形成周期性结构，其中，所述第一相变材料层的材质包括Te3As2或SiTe2，所述第二相变材料层的材质包括GeTe。该超晶格相变薄膜在相变过程中不会被加热到其熔化温度以上，其相变功耗大大降低。本申请实施例还提供了采用该超晶格相变薄膜的相变存储器。

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