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公开(公告)号：CN105509894B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201510897604.5
申请日：2015-12-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种液晶基图像与波前双模电调成像探测芯片，包括液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块；液晶微光学结构在时序加电态下为面阵电控液晶微透镜；面阵可见光探测器被面阵电控液晶微透镜依其阵列规模划分成多个子面阵可见光探测器，每单元电控液晶微透镜与一个子面阵可见光探测器对应，构成测量波前模态；液晶微光学结构在时序断电态下为延迟入射波束的液晶相位板，它与面阵可见光探测器构成成像模态。本发明的一种液晶基图像与波前双模电调成像探测芯片基于时序电信号捕获目标的出射波前与高像质平面图像，探测效能高，使用方便，易与常规成像光学系统耦合。
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公开(公告)号：CN105791645B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610147937.0
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电调平面与三维光场双模成像探测芯片。包括电控液晶微光学结构和面阵光敏探测器；在电控液晶微光学结构上加载的信号电压的均方幅值高于某一阈值时，电控液晶微光学结构等效为面阵电控液晶微透镜，双模成像探测芯片呈现三维光场成像模式，在电控液晶微光学结构上加载的信号电压的均方幅值低于所述阈值或不加载信号电压时，电控液晶微光学结构等效为对入射光波具有延迟作用的液晶相移板，双模成像探测芯片被调变或切换为具有高空间分辨率的常规平面成像模式。本发明具有成像模式切换灵活，调光响应快，以及目标的高空间分辨率平面图像与其局域三维形态/姿态特征兼容获取的特点。
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公开(公告)号：CN105866982B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610353247.0
申请日：2016-05-25
Applicant: 华中科技大学 , 上海航天控制技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种基于金属纳尖阵电极的电调透射光薄膜，其包括：由纳米尺度间隔的纳尖高密度排布构成的一层纳米厚度的金属纳尖阵阴极和一层纳米厚度的平面阳极，该阳极由透光的纳米厚度的金属氧化物导电膜制成，阴阳电极间填充有由纳米厚度的透明光学介质材料制成的电隔离膜；在加电态下，金属纳尖阵阴极上可自由移动的电子被电极间所激励的电场驱控，向纳尖顶聚集，纳尖底部及相邻尖端间的平坦区域上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数自由电子被抽走而减少甚至急剧降低，对应于有自由电子密集分布的各尖顶的光透过率将减弱。本发明可对光透过率执行电控调变，具有适用于较宽谱域及较强光束、偏振不敏感、驱控灵活以及调光响应快的特点。
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公开(公告)号：CN105810704B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610145799.2
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种广谱成像探测芯片。包括热辐射结构和光敏阵列。广谱入射光波进入热辐射结构后，在纳尖表面激励产生等离激元，驱动图形化金属膜中的自由电子向纳尖产生振荡性集聚，纳尖收集的自由电子与等离激元驱控下涌入的自由电子相叠合，产生压缩性脉动，使电子急剧升温并向周围空域发射主要成分为可见光的热电磁辐射，光敏阵列将热电磁辐射转换为电信号，经预处理后得到电子图像数据并输出。本发明能将广谱入射光波基于压缩在纳空间中的高温电子运动实现二次可见光辐射进而执行光电转换与成图操作，具有波谱适用范围宽、光电灵敏度高、光电响应快以及成本相对低廉的特点。
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公开(公告)号：CN105826341A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610145847.8
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603
Abstract: 本发明公开了一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片。包括面阵电控液晶成像微透镜和面阵光敏探测器，其中，单元电控液晶成像微透镜用于对目标通过物镜形成的压缩光场执行进一步的汇聚式压缩，通过调变加载在所述面阵电控液晶成像微透镜上的信号电压的均方幅值，调变所述单元电控液晶成像微透镜的光汇聚能力，进而调变由物镜和所述单元电控液晶成像微透镜共同确定的目标对焦平面，从而在深度方向上改变能清晰成像的目标图层，执行成像视场在深度方向上的可寻址层析检录。该芯片易与其它功能性光学、光电及电子学结构耦合，易于插入常规成像光路中替换传统光敏成像芯片执行寻址层析视场式的成像探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105509894A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510897604.5
申请日：2015-12-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种液晶基图像与波前双模电调成像探测芯片，包括液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块；液晶微光学结构在时序加电态下为面阵电控液晶微透镜；面阵可见光探测器被面阵电控液晶微透镜依其阵列规模划分成多个子面阵可见光探测器，每单元电控液晶微透镜与一个子面阵可见光探测器对应，构成测量波前模态；液晶微光学结构在时序断电态下为延迟入射波束的液晶相位板，它与面阵可见光探测器构成成像模态。本发明的一种液晶基图像与波前双模电调成像探测芯片基于时序电信号捕获目标的出射波前与高像质平面图像，探测效能高，使用方便，易与常规成像光学系统耦合。
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公开(公告)号：CN1967662A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610124755.8
申请日：2006-10-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于磁头伺服的超磁致伸缩微致动器，包括磁路、超磁致伸缩致动块、柔性连接板、连接焊盘、引线焊盘、线圈焊盘、固定焊盘，连接点、柔性引线、内、外磁屏蔽层、嵌入式螺线圈和单晶硅弹簧。本发明运用了特殊材料的巨磁致伸缩效应，采用联体制造工艺在磁头滑块内加工成型，并利用永磁体或者在驱动电流中叠加直流偏置电流来产生双向的伺服运动。这种超磁致伸缩微致动器能在较低的电压下工作，能输出较大的驱动力，响应速度超过压电陶瓷材料，并且不会有居里点失效问题。
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公开(公告)号：CN1945725A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610124661.0
申请日：2006-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种数据编解码的方法，即在数据存储和数据通信环境中进行高码率游长受限编码和解码的方法。在本发明中，定义了一套编/解码规则和方法，包括：对输入数据进行子块分割；测试每个子块的值是否有冲突；根据测试值执行无冲突映射；或由输出数据的标志子块指示有冲突子块的序号，并给出了标志子块的排队规则；剩余输入数据的无冲突子块依次按顺序将内容赋值给空余输出子块；对特殊状态建立了加10的处理方法。根据提出的规则和方法，本发明设计了码率为32/33(d＝0，k＝6)的游长受限码编码方法和解码方法，并进一步结合子块交叉插入技巧设计了码率为128/129(d＝0，k＝14)的游长受限码码字映射方法。本发明提出的方法具有编码效率高、易扩展、易实现的优点。
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公开(公告)号：CN1933004A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610124660.6
申请日：2006-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种反转级联编/解码方法。编码包括将用户数据经过HRRLL编码为第一受限序列，再位宽拓展为中间序列，RS纠错码根据中间序列生成校验数据，将校验数据经过LRRLL编码为第二受限序列；第二与第一受限序列码字合并为记录序列。解码方法包括将记录序列码字分解为第二和第一受限序列；第二受限序列经过LRRLL解码出校验数据，而第一受限序列经位宽拓展为中间序列，中间序列与校验数据码字合并后经过RS解码出经校验过的中间序列，中间序列再依次经过位宽压缩和HRRLL解码还原成用户数据。本发明通过交换RS纠错码与RLL在级联编码中的次序来有效地抑制错误传播，从而降低了误码率。同时，进行位宽拓展来减小经RLL编码后的受限序列的长度和突发错误的长度。
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公开(公告)号：CN111598805A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010402772.3
申请日：2020-05-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于对抗样本防御技术领域，公开了一种基于VAE-GAN的对抗样本防御方法及系统，使用变分自动编码器VAE和生成对抗网络GAN对对抗样本进行去噪，VAE作为分类器的预处理模型对对抗样本进行去噪处理，GAN用于辅助VAE的训练，使得VAE输出的图像结果更加接近于原始无噪声的图像。本发明提供的基于VAE-GAN的对抗样本防御方法属于输入预处理，可在不同分类模型之间学习迁移；无需重新训练原有分类网络，训练成本较低；几乎不影响原始无噪声样本分类精度；不需要使用对抗样本，所以无需而外的训练对抗样本；对噪声较小的对抗样本防御效果也很好；预处理速度快且输出图像质量接近于原始无噪声图像。
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