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公开(公告)号：CN116935840A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310622895.1
申请日：2023-05-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G10L15/183 , G10L17/04 , G10L19/00 , H04L1/00
Abstract: 本申请提供一种上下文建模的语义通信编码传输和接收方法及相关设备；该方法包括：将图像向量输入解析变换网络，输出潜在表示向量，将潜在表示向量划分为锚点表示向量和非锚点表示向量，分别输入棋盘上下文熵模型；确定潜在表示向量的边信息，利用边信息确定棋盘上下文熵模型的锚点参数和非锚点参数；利用棋盘上下文熵模型估计锚点表示向量每个维度各自的锚点熵值，并利用棋盘上下文熵模型估计非锚点表示向量每个维度各自的非锚点熵值；利用每个锚点熵值和非锚点熵值确定潜在表示向量对应的符号数向量；将锚点表示向量和非锚点表示向量输入编码器并输出码字，使用预设的速率匹配函数根据符号数向量将码字映射为信道传输符号，发送至接收端。
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公开(公告)号：CN106876418B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710149708.7
申请日：2017-03-14
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种光电探测器阵列，包括半绝缘的衬底层；覆盖在所述衬底层表面的绝缘钝化层；设置在所述衬底层上且位于所述钝化层内的至少2个光电探测器；在每个所述光电探测器的N接触层上蒸镀的N接触电极；在每个所述光电探测器的P接触层上蒸镀的P接触电极；在所述N接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的接地大电极；以及在所述P接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的信号大电极。本发明将多个光电探测器按照以信号大电极为中心的对称结构设计，克服了单个光电探测器无法处理过大功率的光信号的弊端，以及传统光电探测器阵列的各光电探测器电信号容易在输出端产生相位失配而引起信号畸变的缺点；工艺简单、饱和功率大且响应度高。
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公开(公告)号：CN108418095B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810119727.X
申请日：2018-02-06
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法，包括：S1、通过PECVD方法、干法刻蚀技术和湿法刻蚀技术在单晶硅衬底上制作纳米尺寸图形掩膜；S2、基于MOCVD方法在所述图形掩膜上依次制作InP低温成核层、n‑InP高温缓冲层、位错阻挡层、n型限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。通过优化两步生长法和选区外延条件，利用制备在硅片上的纳米尺寸的大高宽比二氧化硅掩膜图形衬底结构，将生长窗口区的穿透位错阻挡在二氧化硅掩膜侧壁上，同时采用应变超晶格结构作为位错阻挡结构，使得上层InP材料的位错密度进一步降低。
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公开(公告)号：CN105448675B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201410514645.7
申请日：2014-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs中温缓冲层；在所述GaAs中温缓冲层上制作GaAs第一高温缓冲层；在所述GaAs第一高温缓冲层上制作GaAs第二高温缓冲层；在所述GaAs第二高温缓冲层上制作GaAs变温缓冲层；在所述GaAs变温缓冲层上制作多层量子点位错阻挡层；在所述多层量子点位错阻挡层上制作应变插入层；在所述应变插入层上制作GaAs外延层。本发明能够大面积、均匀、高重复性地完成材料生长和制备，降低所生长材料的位错密度，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN106654860A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610986904.5
申请日：2016-11-09
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34326
Abstract: 本发明公开了一种1.55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法，属于光通信用激光器材料和半导体光电子材料及其制造技术领域。所述材料包括在单晶InP衬底上依次制备得到的下DBR结构、激光器外延材料结构和上DBR结构，所述的下DBR结构包括多层介质图形结构及在其中生长的InP缓冲层和InP侧向外延层。本发明将纳米尺度侧向外延方法与传统Si/SiO2多层介质结构相结合，同时实现高反射率的下DBR结构与InP晶格匹配的虚拟衬底功能的方法；采用MOCVD方法解决了InP基长波长VCSEL外延材料的高反射率下DBR结构的材料制备问题，且省去了复杂的下DBR结构外延过程，减少VCSEL外延材料制备的成本，更适合于产业化的材料制备要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105140330A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510613957.8
申请日：2015-09-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/03046
Abstract: 本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、InP收集层、InGaAsP过渡层、InGaAs吸收层、InAlAs电子阻挡层和InGaAs接触层(其上镀有p型接触电极)。其中在吸收层和电子阻挡层上优选地使用了InAlAs/InGaAs异质结，利用InAlAs的高费米能级和大禁带宽度获得了在零偏压下更好的响应度与相应带宽，并且降低了功耗。
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公开(公告)号：CN117560495A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311351378.1
申请日：2023-10-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04N19/146 , H04L1/00 , H04N1/00 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V20/70 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本申请提供一种应用于图像语义通信的细粒度速率控制方法及装置，所述方法，将待传输图像集和所述预设语义骨架图像集输入至第一预设目标传输模型，通过所述第一预设目标传输模型输出目标传输图像集；确定所述目标传输图像集中的每个目标传输图像的传输码率；将所有目标传输图像进行编码，得到编码数据序列；将所述编码数据序列输入至第二预设目标传输模型，通过所述第二预设目标传输模型对所述编码数据序列进行解码，得到与所述待传输图像集对应的重构图像集。实现了将待传输图像中的语义重要部分进行传输码率的分配；并根据传输码率对待传输图像进行编码及传输，减少图像传输的信道带宽成本，节省通信资源。
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公开(公告)号：CN116913289A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310621227.7
申请日：2023-05-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G10L19/00 , G10L19/008 , G10L13/08 , G10L17/04 , G06N3/0455
Abstract: 本申请提供一种基于响应网络的语义通信编码传输和接收方法及相关设备；方法包括：利用设置的第一缩放参量构建第一响应函数，利用第一响应函数构建解析变换网络，利用预设的第二缩放参量构建第二响应函数，利用第二响应函数构建编码器；将图像向量输入解析变换网络的第一基线网络，并输出潜在表示向量，利用第一缩放参量对其进行缩放，得到目标表示向量；将其输入编码器中的第二基线网络，得到第二基线网络输出向量，利用第二缩放参量对其进行缩放得到码字；设置条件熵模型，利用条件熵模型估计目标表示向量每个维度各自的熵值；利用每个维度各自的熵值确定目标表示向量对应的符号数向量，按照符号数向量将码字映射为信道传输符号，发送至接收端。
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公开(公告)号：CN114496725A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111468703.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种无偏角Si(001)衬底InP材料的金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法，A)将无偏角Si(001)衬底清洗后，在氢气环境下进行表面退火处理；B)采用MOCVD方法在退火后的无偏角Si(001)衬底上依次生长GaAs成核层、中温GaAs层和高温GaAs层；C)采用MOCVD方法在所述高温GaAs层上依次生长InP成核层和高温InP层。本发明在氢气环境下进行高温退火，能够使无偏角Si(001)表面的单层原子台阶转换为双层原子台阶，避免后续生长出现的反相畴缺陷。本发明工艺简单且成本较低，能够在CMOS工艺兼容的无偏角Si(001)衬底上实现高质量无反相畴InP外延层的大规模化生产。
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公开(公告)号：CN111223955B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201911050883.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器，包括柱状的衬底以及在衬底的顶面沿轴向设置的多个外延层，多个外延层包括吸收层，沿衬底的轴向方向贯穿吸收层开设若干锥形孔；至少在一个锥形孔的外侧壁与吸收层的顶面和/或底面的接触处布置低折射率材料，用于与吸收层形成强耦合波导结构。本发明提供的具有微孔耦合结构的光探测器，通过设置若干锥形孔，减小了吸收层中有源区的面积，降低了充电时间常数，提高了光探测器的响应速率；另外，形成的强耦合波导结构，可以使得进入锥形孔的入射光经其内侧壁折射后进入吸收层，并在吸收层中横向传输，增加了光程，提高了量子效率。
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