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公开(公告)号:CN105185862B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201510319023.3
申请日:2015-06-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有汇聚增强功能的蘑菇型高速光探测器及其制备方法,涉及光电子技术领域。所述蘑菇型高速光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、非周期亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层,以及n型接触电极和p型接触电极。所述制备方法包括刻蚀形成非周期亚波长光栅;外延生长Ⅲ-Ⅴ族PIN光探测器外延片;采用键合工艺混合集成光探测器外延片和非周期亚波长光栅;最后通过选择性刻蚀工艺实现蘑菇型台面结构。本发明能够广泛用于光通信及光信号处理等领域,具有易于集成、高量子效率、高频率响应带宽等特点;同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。
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公开(公告)号:CN105185862A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201510319023.3
申请日:2015-06-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/105 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/1844 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种具有汇聚增强功能的蘑菇型高速光探测器及其制备方法,涉及光电子技术领域。所述蘑菇型高速光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、非周期亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层,以及n型接触电极和p型接触电极。所述制备方法包括刻蚀形成非周期亚波长光栅;外延生长Ⅲ-Ⅴ族PIN光探测器外延片;采用键合工艺混合集成光探测器外延片和非周期亚波长光栅;最后通过选择性刻蚀工艺实现蘑菇型台面结构。本发明能够广泛用于光通信及光信号处理等领域,具有易于集成、高量子效率、高频率响应带宽等特点;同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。
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公开(公告)号:CN106449806A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610825756.9
申请日:2016-09-14
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/105
Abstract: 本发明提出了一种基于非周期亚波长光栅的窄线宽可调谐高性能光探测器,涉及光电子技术领域。所述的高性能光探测器包括自下而上的滤波腔底镜(DBR)、滤波腔、滤波腔顶镜(DBR)、吸收腔和非周期亚波长光栅斜反射镜。本发明的光探测器通过电调谐或热调谐来改变滤波腔的光学腔长,实现波长的选择调谐功能;利用非周期亚波长光栅斜反射镜实现对入射光的多次不同角度的斜反射,使入射光能被吸收层反复吸收,从而实现器件的高速高量子效率性能。本发明具有易集成、窄线宽、可调谐、高量子效率、高频率响应带宽等特点,能够广泛应用于光通信及光信号处理领域。
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公开(公告)号:CN103367370B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201210084793.0
申请日:2012-03-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域,提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层,以及形成在n型外延层上的n型接触电极和形成在p型外延层上的p型接触电极;其中,亚波长光栅层包括由硅材料制成的具有特定图案的光栅。本发明的器件易于集成、宽光谱范围高量子效率、高频率响应带宽;同时相关工艺成本低、工艺简单、易于实现。本发明解决了传统半导体光探测器量子效率和频率响应带宽的相互制约的问题,能够广泛用于光通信及光信号处理等领域。
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公开(公告)号:CN119511159A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411787159.2
申请日:2024-12-05
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本申请涉及磁场探测技术领域,揭示了一种测量磁场强度的方法、系统、计算机程序、设备及存储介质,所述方法包括:在待测区域中设置测量磁场强度的单摆装置;利用角度传感器测量所述单摆装置摆动过程中每个周期的最大摆动角度,利用计算机程序算法,数据处理得到磁场产生阻尼系数;利用阻尼系数与预设的涡流阻尼模型函数计算得到磁场强度。本申请利用单摆运动在磁场中产生的涡流阻尼效应测量磁场强度,能够降低磁场测量的成本、简化磁场测量的操作复杂度。
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公开(公告)号:CN118311826A
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410439238.8
申请日:2024-04-12
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种在PDMS柔性材料上制备微纳光栅图形的纳米压印方法,涉及集成光学和硅基光子学技术领域,该方法包括:对硅衬底进行预处理;采用电子束曝光工艺,在所述预处理后的硅衬底上加工出硬质微纳光栅图形,形成硅基纳米压印模板;利用所述硅基纳米压印模板和预设配比的PDMS硅胶混合液,制备PDMS柔性器件;所述PDMS柔性器件的表面印有与所述硬质光栅图形互补的微纳光栅图形。通过电子束曝光和PDMS硅胶制备工艺的结合,使得PDMS柔性器件上制备出特征尺寸达到百纳米量级,加工精度提升,同时这种转印技术有利于大规模量产。
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公开(公告)号:CN119642878A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411783518.7
申请日:2024-12-05
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01D5/353
Abstract: 本申请涉及光纤传感技术领域,尤其涉及光纤传感器系统、传感信号测量方法、计算机设备及介质,包括:产生光信号的激光光源;光纤耦合器,包括至少两条平行设置的光纤干涉臂,用于将光信号分为至少两束并使其沿不同路径传播后产生干涉;偏振控制器,设置于光纤耦合器的出射端,用于调控出射光的偏振态及偏振方向;电压控制模块,设置于至少一条光纤干涉臂上,用于通过施加电压改变光纤的相位;图像传感器,用于采集干涉条纹图像并转换为电信号;数据处理装置,用于对电信号进行寻峰计算,得到条纹移动信息,根据条纹移动信息与传感信号间的关系得到相应的传感信号值。本申请拓展了干涉仪在可见光波段的应用范围,提高了干涉仪的测量精度。
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公开(公告)号:CN103367370A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201210084793.0
申请日:2012-03-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域,提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层,以及形成在n型外延层上的n型接触电极和形成在p型外延层上的p型接触电极;其中,亚波长光栅层包括由硅材料制成的具有特定图案的光栅。本发明的器件易于集成、宽光谱范围高量子效率、高频率响应带宽;同时相关工艺成本低、工艺简单、易于实现。本发明解决了传统半导体光探测器量子效率和频率响应带宽的相互制约的问题,能够广泛用于光通信及光信号处理等领域。
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