公开(公告)号：CN119170633A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202310735758.9

申请日：2023-06-20

Applicant: 北京超弦存储器研究院

Inventor： 王文奇 ,  李相惇 ,  王丹 ,  康卜文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45

Abstract: 本申请实施例提供了一种晶体管、半导体器件及其制造方法。在本申请实施例提供的晶体管中，通过在第一电极部的侧壁处设置功函数小于第一电极部的金属结构，使得第一电极部靠近金属结构的一端表面处、或与金属结构接触界面处的费米能级上移，使得金属结构的费米能级和第一电极部的费米能级在两者相互靠近处或接触的界面处相等或接近，从而带动第一电极部表面的导带和价带弯曲，使得第一电极部表面处载流子的浓度增大，从而能够降低第一电极部表面的电阻，进而在晶体管的第一电极部与位线连接的情况下，能够降低第一电极部的表面与位线之间的接触电阻，使之形成欧姆接触。同时，无需对第一电极部进行重度掺杂，能够提高晶体管的生产效率和成品率。

公开(公告)号：CN118348744A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410438916.9

申请日：2024-04-12

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 武志鹏 ,  齐月静 ,  苏佳妮 ,  王丹 ,  师江柳 ,  姜淼 ,  周光迎

IPC: G03F7/20 ,  G06F30/20

Abstract: 本说明书实施例提供了一种光刻标记分布式仿真计算的方法、设备和程序，其中，方法包括根据用户设定的光刻标记仿真参数生成仿真任务；调度器根据调度策略将所述仿真任务发送至任务队列；计算节点根据预设的光刻标记模型计算模块运行光刻标记仿真算法，对应所述任务队列中的所述仿真任务，获得仿真结果；将仿真结果进行排序融合，并根据用户ID及对应的任务ID进行反馈仿真结果，根据仿真结果选出最优化的标记设计参数和测量设备参数，以解决传统计算机硬件系统无法满足光刻标记仿真算力不足的技术问题。

公开(公告)号：CN119207507A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202310767212.1

申请日：2023-06-27

Applicant: 北京超弦存储器研究院

Inventor： 王丹 ,  康卜文 ,  巫谢帅 ,  朱正勇 ,  刘铭旭

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/4063 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/408

Abstract: 本申请涉及一种写字线使能电路及使能控制方法、存储器、电子设备。写字线使能电路用于与存储单元连接，存储单元包括读晶体管和写晶体管，以及与读晶体管连接的读字线和读位线，与写晶体管连接的写字线和写位线，写字线使能电路包括感测控制电路，与写位线相连接，被配置为：获取写位线传输的数据信号，根据数据信号输出写控制信号；启动控制电路，与感测控制电路连接且与写字线相连接，被配置为：根据写控制信号向写字线输出使能信号。采用本申请的写字线使能电路能够提高读写容错率。

公开(公告)号：CN115171751B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202210804207.9

申请日：2022-07-07

Applicant: 北京超弦存储器研究院

Inventor： 朱正勇 ,  康卜文 ,  王丹 ,  赵超

IPC: G11C11/4094 ,  G11C11/408 ,  G11C11/401 ,  G11C11/4074

Abstract: 本申请实施例提供了一种存储器及其访问方法、电子设备。该存储器包括至少一个存储阵列、至少一个控制电路、若干用于读操作的读字线和读位线；存储阵列包括若干阵列排布的存储单元，存储单元包括第一晶体管和第二晶体管；控制电路被配置为在预处理阶段，将第一电压传输至读字线和读位线；以及，在预充电阶段，将第二电压传输至存储单元连接的读位线，在读取感应阶段，将第三电压传输至存储单元连接的读字线。本申请提供的存储器能够将数据可靠的读出，同时能够避免或者有效降低串扰。

公开(公告)号：CN115171751A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210804207.9

申请日：2022-07-07

Applicant: 北京超弦存储器研究院

Inventor： 朱正勇 ,  康卜文 ,  王丹 ,  赵超

IPC: G11C11/4094 ,  G11C11/408 ,  G11C11/401 ,  G11C11/4074

Abstract: 本申请实施例提供了一种存储器及其访问方法、电子设备。该存储器包括至少一个存储阵列、至少一个控制电路、若干用于读操作的读字线和读位线；存储阵列包括若干阵列排布的存储单元，存储单元包括第一晶体管和第二晶体管；控制电路被配置为在预处理阶段，将第一电压传输至读字线和读位线；以及，在预充电阶段，将第二电压传输至存储单元连接的读位线，在读取感应阶段，将第三电压传输至存储单元连接的读字线。本申请提供的存储器能够将数据可靠的读出，同时能够避免或者有效降低串扰。

公开(公告)号：CN118311834A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410320391.9

申请日：2024-03-20

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 武志鹏 ,  齐月静 ,  苏佳妮 ,  王丹 ,  姜淼 ,  周光迎

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/67 ,  H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  G06F30/20

Abstract: 本说明书实施例提供了一种光刻标记的设计仿真优化方法、系统、设备及存储介质，其中，方法包括：生成关键指标评价模型；新建或读取光刻标记数据文件；进行光刻标记工艺叠层、光刻标记图案设计及光刻标记测量设备参数设置；进行工艺扰动参数和范围、关键指标评价模型、关键指标优化参数以及计算设备硬件参数设置；通过关键指标评价模型用于将光刻标记设计质量和工艺适应性的多项关键技术指标进行综合评估，生成关键指标评价结果，在满足设定阈值的情况下，保存光刻标记数据文件，生成光刻标记版图文件；针对工艺叠层设计、标记图案设计、测量设备参数的优化流程，利用关键技术指标评价模型的关键指标评价结果对上述设计参数进行全局优化。