公开(公告)号：CN119400691A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411537957.X

申请日：2024-10-30

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  梁倬健 ,  李宏亮 ,  李增翼 ,  范凯新 ,  任龙薇 ,  王浩宇 ,  连鹏程 ,  张鹏

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50

Abstract: 一种在200毫米CMOS试验线上研究和制备石墨烯器件的方法和系统。该方法包括在与CMOS兼容的材料上生长晶圆级高质量石墨烯，采用化学气相沉积(CVD)技术在Si(001)衬底上外延生长Ge(001)层，以利用Ge的催化活性和低碳溶解度。此外，通过电化学分层工艺将石墨烯从生长晶圆(供体)转移到隔离晶圆(目标晶圆)上，实现了低缺陷、大规模的石墨烯转移。

公开(公告)号：CN119400606A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411533759.6

申请日：2024-10-30

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  李宏亮 ,  梁倬健 ,  连鹏程 ,  张九祥 ,  王宏伟 ,  全冲 ,  谢铮一 ,  张欣 ,  张文豪

IPC: H01G11/84 ,  H01G11/86 ,  H01G11/32 ,  H01G11/26

Abstract: 本发明公开了一种激光诱导石墨烯超级电容器及其制造方法，旨在提供一种能够直接在柔性衬底上形成的高功率密度储能设备。通过使用激光直接在聚酰亚胺薄膜上写入，实现了PI到多孔石墨烯的转化，形成具有高表面积的电极。这些电极与导电铜带集成在不锈钢基板上.形成超级电容器层。制造过程包括在两个电极之间插入浸泡在硫酸钠溶液中的微孔聚丙烯分离器，以实现离子交换。

公开(公告)号：CN119296980A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411513724.6

申请日：2024-10-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 李宏亮 ,  梁倬健 ,  谢铮一 ,  高飞 ,  李增翼 ,  范凯新 ,  任龙薇 ,  连鹏程 ,  王策

IPC: H01G11/48 ,  H01G11/36 ,  H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管/树枝状聚合物混合物，其核心在于通过在CNTs表面引入含有四个葡萄糖单位（4‑Gl）的糖二聚体，改善了CNTs的分散性和电极的润湿性，从而显著提高了超级电容器的电容性能。

公开(公告)号：CN119400604A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411524247.3

申请日：2024-10-30

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  李宏亮 ,  梁倬健 ,  王浩宇 ,  连鹏程 ,  张九祥 ,  王宏伟 ,  范凯新 ,  高飞 ,  张鹏

IPC: H01G11/32 ,  H01G11/36 ,  H01G11/86 ,  C01B32/19 ,  C01B32/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种超级电容器电极材料，该材料由石墨烯和碳纳米管以3∶1的质量比混合而成。石墨烯通过电化学剥离法制备，碳纳米管通过电弧放电法制备当使用1 M NaCl作为电解质，并在10mV/秒的扫描速率下测试时，该复合材料的比电容可达179F/g。