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公开(公告)号：CN110596798B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201910915788.1
申请日：2019-09-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于苯并环丁烯和氧化硅球的微透镜制备方法，利用SiO2和BCB来作为微透镜的制备材料不仅可以制备出不同球冠大小微透镜还可以制备出不同弧度的微透镜。该微透镜包括衬底、BCB和SiO2微球，用匀胶机将混有SiO2微球的BCB旋涂在衬底上，经加热固化和等离子刻蚀(RIE)在衬底上制备出由BCB和SiO2微球构成的微透镜结构。利用SiO2和BCB来作为微透镜的制备材料不仅可以制备出不同球冠大小微透镜还可以制备出不同弧度的微透镜。
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公开(公告)号：CN110616408A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910879303.8
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于二维材料的多层金属纳米结构的制备方法，属于新型纳米结构加工领域。其制备过程主要分为三步：第一步:将超薄AAO模板转移到亲水处理后的衬底上。第二步:利用溅射的方法将金属均匀沉积到AAO模板孔洞中。第三步:用胶带粘掉衬底上的AAO模板并在上面转移一层h-BN，在h-BN上再次转移一层超薄AAO模板。第四步:将衬底放入溅射设备中再次沉积一层金属，并去除掉AAO模板，重复第三、四步工艺进行下一层纳米颗粒沉积。本发明工艺简单、成本较低；工艺重复性强，工艺参数好控制。可以大面积制备具有周期性的多层金属纳米结构阵列。
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公开(公告)号：CN107012443B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710246595.2
申请日：2017-04-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。绝缘衬底直接生长石墨烯和在此基础上进行的石墨烯图形化生长。通过在绝缘衬底上首先镀上一层铜作为催化剂，然后在铜的催化下石墨烯会生长在镀铜的表面，再保持高温退火使铜挥发，铜挥发后，石墨烯会落在绝缘衬底表面，达到绝缘衬底直接生长石墨烯的目的。之后，在直接生长的基础上，通过光刻工艺使镀的铜具有一定的图形，与之相对应的，在铜上生长出的石墨烯也具有了相同的图形，达到绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的目的。本发明通过直接生长的工艺，避免了石墨烯转移工艺中石墨烯的损坏，成本较低，适合大规模批量生产石墨烯。
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公开(公告)号：CN108111145A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810137925.9
申请日：2018-02-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明涉及一种衰减器，属于信号传输技术领域，尤其涉及一种采用相位相消的方式实现信号衰减的可变衰减器。该衰减器包括差分输入端RFIN1、差分输入端RFIN2、输入缓冲器1、输入缓冲器2，pHEMT管M1，pHEMT管M2，负载电阻RL和射频输出端RFOUT。衰减器在信号传输系统中可以控制传输功率的大小，或作为去耦原件，还可以用于改善阻抗匹配等。本发明设计的衰减器，主要应用于射频微波电路中控制信号的功率。本发明采用相位相消的方式实现信号衰减，具有衰减范围大(43dB以上)，衰减幅度可连续调节，且芯片面积小的优点。
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公开(公告)号：CN107611779A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710953605.6
申请日：2017-10-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种VCSEL耦合阵列与表面光学移相器片上集成的光束扫描芯片，属于半导体激光器技术和光束扫描技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入、光子晶体或腔诱导反波导等技术，实现VCSEL阵列单元间的耦合，阵列各单元发射出功率一致的相干光。利用VCSEL阵列平面结构的特点，通过光刻、溅射、PECVD、ICP、蒸镀等工艺，在VCSEL耦合阵列表面集成透射式光学移相器阵列，从而获得体积小、结构紧凑、集成度高的光束扫描芯片。它解决了传统的光学相控阵光束扫描装置中因激光光源与移相器阵列在空间上分离而导致的体积大、可靠性低、安装复杂等问题，应用前景广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109216496B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201811231680.2
申请日：2018-10-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了应用派瑞林N薄膜直接生长石墨烯的硅肖特基结探测器，属于半导体光电子器件技术领域。其基本结构从下往上依次为：下金属电极、轻掺杂n型硅、二氧化硅绝缘层、石墨烯薄膜、上金属电极。应用派瑞林N直接生长石墨烯，生长原理简单，生长速度快，石墨烯无需转移，大幅度提升器件制备效率。制得的石墨烯与衬底接触良好，石墨烯薄膜均匀，污染少，因此所得到的探测器一致性好。适合于未来石墨烯—硅肖特基结探测器的大规模产业化制备。
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公开(公告)号：CN107611779B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201710953605.6
申请日：2017-10-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种VCSEL耦合阵列与表面光学移相器片上集成的光束扫描芯片，属于半导体激光器技术和光束扫描技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入、光子晶体或腔诱导反波导等技术，实现VCSEL阵列单元间的耦合，阵列各单元发射出功率一致的相干光。利用VCSEL阵列平面结构的特点，通过光刻、溅射、PECVD、ICP、蒸镀等工艺，在VCSEL耦合阵列表面集成透射式光学移相器阵列，从而获得体积小、结构紧凑、集成度高的光束扫描芯片。它解决了传统的光学相控阵光束扫描装置中因激光光源与移相器阵列在空间上分离而导致的体积大、可靠性低、安装复杂等问题，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN109216496A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811231680.2
申请日：2018-10-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了应用派瑞林N薄膜直接生长石墨烯的硅肖特基结探测器，属于半导体光电子器件技术领域。其基本结构从下往上依次为：下金属电极、轻掺杂n型硅、二氧化硅绝缘层、石墨烯薄膜、上金属电极。应用派瑞林N直接生长石墨烯，生长原理简单，生长速度快，石墨烯无需转移，大幅度提升器件制备效率。制得的石墨烯与衬底接触良好，石墨烯薄膜均匀，污染少，因此所得到的探测器一致性好。适合于未来石墨烯—硅肖特基结探测器的大规模产业化制备。
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公开(公告)号：CN107012443A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710246595.2
申请日：2017-04-16
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/0281 , C23C16/56
Abstract: 一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。绝缘衬底直接生长石墨烯和在此基础上进行的石墨烯图形化生长。通过在绝缘衬底上首先镀上一层铜作为催化剂，然后在铜的催化下石墨烯会生长在镀铜的表面，再保持高温退火使铜挥发，铜挥发后，石墨烯会落在绝缘衬底表面，达到绝缘衬底直接生长石墨烯的目的。之后，在直接生长的基础上，通过光刻工艺使镀的铜具有一定的图形，与之相对应的，在铜上生长出的石墨烯也具有了相同的图形，达到绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的目的。本发明通过直接生长的工艺，避免了石墨烯转移工艺中石墨烯的损坏，成本较低，适合大规模批量生产石墨烯。
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公开(公告)号：CN106129210A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610460910.7
申请日：2016-06-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种电极下方有源区绝缘化的高光提取效率发光二极管，属于半导体光电子技术领域。该发光二极管包括P电极、电流扩展层、绝缘区、窗口层、上限制层、有源区、下限制层、缓冲层、N电极。通过离子注入的方法，注入深度达到有源区，能够使P电极下方的有源区绝缘，阻止了P电极正下方的电流输运，P电极流入的电流会横向扩展流入到周围的有源区，解决了P电极下方有源区发出的光被P电极阻挡和吸收的问题，改善了电流的扩展，提高了器件的光提取效率和发光强度。同时，采用本发明中有源区绝缘化的方法不会在器件表面产生台阶，不会影响器件的表面平整，提高了器件的可靠性。工艺简单、成本较低，适合批量生产。
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