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公开(公告)号：CN109263062A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811057319.2
申请日：2018-09-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: B29C65/52
Abstract: 本发明公开了一种应用于扩容性印刷包装的复合材料制备工艺，该制备工艺包括如下步骤：准备原料：原料包括石塑纸(石塑复合材料)，松厚度较高的纤维纸，粘合胶或树脂材料。对粘合胶或树脂材料加温，使粘合胶或树脂材料充分熔化形成粘合材料。把熔化的粘合材料充分均匀涂在石塑纸或松厚度较高的纤维纸表面。根据要求，选择使用机械复合或人工复合等方法，使石塑纸与松厚度较高的纤维纸牢固结合。本发明拓宽了现有技术中的挺度差、厚度底、不透明性差等缺陷。
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公开(公告)号：CN108614203A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810423405.4
申请日：2018-05-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种通过瞬态电流分析阻变存储器内部陷阱的方法，首先测量阻变存储器在正向、负向偏压区域的I-V曲线，判断阻变存储器的导电机制。由于载流子有机会从陷阱中跃迁出来，所以当施加在存储器上的陷阱填充电压被移开之后，在短时间内监测到瞬态电流的产生。通过对瞬态电流的e指数函数的拟合，得到了相应的时间常数，并且通过分析不同温度对瞬态电流的影响，得到一组随温度变化而变化的时间常数谱。利用阿仑尼乌斯坐标拟合，确定BFO阻变存储器中缺陷对应能级的激活能。通过改变对阻变存储器施加脉冲的填充电压和填充时间，分析时间常数随填充电压和填充时间的变化，结合极化及陷阱填充状态对阻变存储器有序性的影响，利用时间常数分析阻变存储器内部陷阱的填充状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111276602A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010092622.7
申请日：2020-02-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于钨酸铋材料的非挥发性阻变存储器，通过脉冲激光沉积方法生长钌酸锶下电极钨酸铋薄膜，并通过掩膜版法制作铂上电极，完成BWO薄膜器件的制备。使用安捷伦安捷伦B1500A测量其I-V特性曲线，在双对数坐标系下，分析其内部导电机制符合空间电荷限制传导，且正方向具有优异的保持特性，BWO薄膜器件具有制备阻变存储器的潜力。使用安捷伦B1500A、Radiant铁电铁测试仪，对BWO阻变存储器的数据保持特性以及疲劳特性进行测试，评估BWO阻变存储器的可靠性。实验发现，BWO薄膜器件拥有优秀的阻变特性，且具备良好的保持和疲劳特性，可应用于阻变存储器件。
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公开(公告)号：CN111276602B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010092622.7
申请日：2020-02-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: H10B63/00
Abstract: 本发明公开了一种基于钨酸铋材料的非挥发性阻变存储器，通过脉冲激光沉积方法生长钌酸锶下电极钨酸铋薄膜，并通过掩膜版法制作铂上电极，完成BWO薄膜器件的制备。使用安捷伦安捷伦B1500A测量其I‑V特性曲线，在双对数坐标系下，分析其内部导电机制符合空间电荷限制传导，且正方向具有优异的保持特性，BWO薄膜器件具有制备阻变存储器的潜力。使用安捷伦B1500A、Radiant铁电铁测试仪，对BWO阻变存储器的数据保持特性以及疲劳特性进行测试，评估BWO阻变存储器的可靠性。实验发现，BWO薄膜器件拥有优秀的阻变特性，且具备良好的保持和疲劳特性，可应用于阻变存储器件。
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公开(公告)号：CN112884645A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110063571.X
申请日：2021-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06T3/40
Abstract: 基于张量稀疏约束的光场填充方法及装置，避免向量化、引入超分辨率重建技术使光场内部的相关特性被最大程度地利用，得到客观表现良好的填充光场，给用户更好的视觉体验。方法包括：(I)对丢失部分信息的光场进行滑窗采样、搜索相似块并堆叠，利用基于张量稀疏约束的光场填充模型填充得到的五维张量，再将其中的图像块分别置回光场原始索引处，得到填充的光场；(II)对(I)中得到的光场、与对前者进行超分辨率重建得到的高分辨率光场都进行滑窗采样；将后者得到的图像块投影为前者相同大小的块，相似度排序得到由两者组成的五维张量，对其使用基于张量稀疏约束的光场填充模型填充，将其中原始大小的图像块置回原始索引处，得到填充的光场。
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公开(公告)号：CN110643940A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910935937.0
申请日：2019-09-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种铝合金表面固载二硫化钼薄膜的方法，属于金属材料表面改性技术领域。首先使用二次阳极氧化方法在6061等铝合金表面生成多孔氧化铝薄膜，然后利用射频磁控溅射技术将二硫化钼固体润滑剂引入到多孔氧化铝薄膜。经固载后的6061等铝合金表面的摩擦系数最低可到0.16，远低于6061铝合金的摩擦系数1.10；固体润滑剂沉积在多孔氧化铝薄膜表面，可摩擦循环9750次。
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公开(公告)号：CN112884645B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110063571.X
申请日：2021-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06T3/4076
Abstract: 基于张量稀疏约束的光场填充方法及装置，避免向量化、引入超分辨率重建技术使光场内部的相关特性被最大程度地利用，得到客观表现良好的填充光场，给用户更好的视觉体验。方法包括：(I)对丢失部分信息的光场进行滑窗采样、搜索相似块并堆叠，利用基于张量稀疏约束的光场填充模型填充得到的五维张量，再将其中的图像块分别置回光场原始索引处，得到填充的光场；(II)对(I)中得到的光场、与对前者进行超分辨率重建得到的高分辨率光场都进行滑窗采样；将后者得到的图像块投影为前者相同大小的块，相似度排序得到由两者组成的五维张量，对其使用基于张量稀疏约束的光场填充模型填充，将其中原始大小的图像块置回原始索引处，得到填充的光场。
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