单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法

    公开(公告)号:CN103426736A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310271137.6

    申请日:2013-06-30

    Abstract: 本发明公开了单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法。本发明包括以下步骤:1.激光扫描开孔定位:软件绘制所需制绒图形(CAD绘制),皮秒激光依照图形在清洗后的硅片表面进行扫描开孔,形成微米级倒锥形孔均匀分布的绒面;2.酸洗孔状绒面:先用HF酸漂洗,再进行蒸馏水清洗。3.酸洗孔状绒层:先用HF酸漂洗,再进行超纯水清洗。4.制备倒金字塔绒面:将酸洗后的样品放入配置好的碱性溶液中水浴加热,制备出微米级倒金字塔绒面。本发明省去了制备和去除掩膜工艺,代之以激光扫描开孔技术,制绒区域的大小和形状可通过软件(CAD)进行定制;在太阳光谱光子密集的400nm-700nm波段具有优异的减反效果,反射率达到了5%。

    一种大面积表面增强拉曼光谱单晶硅基底的快速制备方法

    公开(公告)号:CN104949959A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510406413.4

    申请日:2015-07-12

    Abstract: 一种大面积表面增强拉曼光谱单晶硅基底的快速制备方法,属于SERS衬底制备领域。本发明在单晶硅表面覆盖周期密排的微球阵列;采用激光扫描或辐照后去除表面残留的微球;然后浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中,水浴温度70-80℃环境中,腐蚀10-30s,取出使用去离子水清洗,得到具有微结构阵列的单晶硅片,水溶液中,氢氧化钠的质量百分比为5%-10%,乙醇的质量百分比为8%-10%;利用磁控溅射在刻蚀后的单晶硅表面进行银薄膜沉积,沉积厚度为50-200nm。本发明能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的微结构阵列,通过对微结构阵列形貌尺寸特征及银膜厚度的控制,可以对SERS衬底的性能进行调控。同时,该方法重现性高,成本较低,所制备出的SERS衬底性能稳定,可重复利用。

    晶硅太阳能电池表面绒层和隔离层的激光一次成型方法

    公开(公告)号:CN103227237B

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201310084670.1

    申请日:2013-03-15

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了晶硅太阳能电池表面绒层和隔离层的激光一次成型方法。本发明包括以下步骤:1.清洗晶硅硅片;2.制备表面绒层:氩气氛围下用透镜聚焦后的激光器光源扫描硅片表面,形成具有硅微粒和微凹陷的绒层。3.制备隔离层:采用同步送氧气,继续用激光扫描黑硅的边缘,得到二氧化硅隔离层。本发明的有效增益如下:表面绒层和绝缘层可一次成型;仅在氩气氛围下即可制备表面绒层,条件易满足,且得到的绒层250nm~1050nm波段的光反射率在10%以下;提出了绒层和隔离层在同一层面的晶硅太阳电池新结构,隔离层的制备提高了表面绒层利用率;表面绒层和隔离层制备,只涉及氩气和氧气,绿色环保。

    一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光-化学制备方法

    公开(公告)号:CN104195644B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410361090.7

    申请日:2014-07-27

    Abstract: 一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光?化学制备方法,属于晶硅表面微结构制备领域。本发明首先对单晶硅进行预处理并在其表面覆盖周期密排的微球;采用248nm激光器进行辐照,单脉冲能量密度100mJ/cm2?400mJ/cm2;辐照后对单晶硅样品进行一定处理去除表面残留的微球;去除结束后,将其浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中,水浴温度70?80℃环境中,腐蚀10s?30s,取出使用去离子水清洗,得到具有正金字塔阵列的单晶硅片,本发明发挥了激光可控性,能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的金字塔阵列,并且对金字塔成形具有高可控性,能够对金字塔阵列的间距以及形貌特征进行调控,同时所用原料低廉,具有较高的实用性。

    一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光-化学制备方法

    公开(公告)号:CN104195644A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201410361090.7

    申请日:2014-07-27

    Abstract: 一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光-化学制备方法,属于晶硅表面微结构制备领域。本发明首先对单晶硅进行预处理并在其表面覆盖周期密排的微球;采用248nm激光器进行辐照,单脉冲能量密度100mJ/cm2-400mJ/cm2;辐照后对单晶硅样品进行一定处理去除表面残留的微球;去除结束后,将其浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中,水浴温度70-80℃环境中,腐蚀10s-30s,取出使用去离子水清洗,得到具有正金字塔阵列的单晶硅片,本发明发挥了激光可控性,能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的金字塔阵列,并且对金字塔成形具有高可控性,能够对金字塔阵列的间距以及形貌特征进行调控,同时所用原料低廉,具有较高的实用性。

    晶硅太阳能电池表面绒层和隔离层的激光一次成型方法

    公开(公告)号:CN103227237A

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN201310084670.1

    申请日:2013-03-15

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了晶硅太阳能电池表面绒层和隔离层的激光一次成型方法。本发明包括以下步骤:1.清洗晶硅硅片;2.制备表面绒层:氩气氛围下用透镜聚焦后的激光器光源扫描硅片表面,形成具有硅微粒和微凹陷的绒层。3.制备隔离层:采用同步送氧气,继续用激光扫描黑硅的边缘,得到二氧化硅隔离层。本发明的有效增益如下:表面绒层和绝缘层可一次成型;仅在氩气氛围下即可制备表面绒层,条件易满足,且得到的绒层250nm~1050nm波段的光反射率在10%以下;提出了绒层和隔离层在同一层面的晶硅太阳电池新结构,隔离层的制备提高了表面绒层利用率;表面绒层和隔离层制备,只涉及氩气和氧气,绿色环保。

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