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公开(公告)号：CN113629020B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110712772.8
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/29 , H01Q1/22
Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明采用低损耗的介电材料，即聚对二甲苯，作为层间的介质层，该材料能够在常温下淀积，与芯片的兼容性好。此外，聚对二甲苯作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN113539951A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110645112.2
申请日：2021-06-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体封装技术领域，具体公开了一种硅基扇出型封装布线方法，包括以下步骤：步骤S12：将待封装芯片埋入硅基板的凹槽内，在所述芯片的侧面与所述凹槽的侧壁之间的间隙填充间隙介质层；步骤S13：在所述硅基板上形成介质层；步骤S14：在所述介质层上形成金属层；步骤S15：以金属层为掩膜，利用双大马士革镶嵌工艺；依次重复步骤S13‑S15n次，在所述介质层内形成n层布线，其中，n≥1，每一层布线均与所述芯片上不同位置处的焊盘或与所述硅基板不同位置连接。本发明利用双大马士革工艺与金属掩模相结合，简化了布线工艺流程，降低了累积工艺误差，减少了工艺难度。
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公开(公告)号：CN119351545A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411624219.9
申请日：2024-11-14
Applicant: 北京大学人民医院
IPC: C12Q1/6883 , G01N33/68 , C12N15/11
Abstract: 本发明公开了杀伤细胞凝集素样受体G1(KLRG1)基因作为标志物在制备系统性红斑狼疮(SLE)继发噬血细胞性淋巴组织细胞增多症(HLH)检测制剂中的应用，所述制剂用于检测生物样本中KLRG1基因的表达水平。研究发现，在SLE继发HLH患者中KLRG1基因表达水平显著低于健康对照组和SLE患者，具有很好的诊断敏感性和特异性。本发明还公开了用于检测患者生物样本中KLRG1基因表达水平的制剂，制剂中含有检测KLRG1基因表达的mRNA水平的引物对，或者含有检测KLRG1基因表达的蛋白水平的抗体，只需抽血提取外周血单个核细胞(PBMC)后即可对SLE患者是否继发HLH进行检测，简单快速，结果准确。
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公开(公告)号：CN113629020A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110712772.8
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/29 , H01Q1/22
Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明采用低损耗的介电材料，即聚对二甲苯，作为层间的介质层，该材料能够在常温下淀积，与芯片的兼容性好。此外，聚对二甲苯作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN113629019A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110712760.5
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种毫米波封装结构。该毫米波封装结构采取在硅衬底表面刻槽，并将射频芯片填埋的方式，减小了封装结构的厚度，使封装结构更加紧凑。本发明的天线、接地单元、硅衬底与芯片垂直互联，也使得封装结构更加紧凑。本发明利用由低损耗的介电材料旋涂玻璃生成的SiO2薄膜作为层间的介质层。SiO2作为介质层，具有优良的介电性能，能够降低芯片与天线之间的互连损耗。此外，由旋涂玻璃生成SiO2薄膜的方法比通过等离子体增强化学气相淀积法沉积SiO2的工作温度低，与芯片的兼容性更好。另外，本发明的传输线不经过硅衬底，电学信号在垂直方向上由芯片通过波导传至天线，也能够降低损耗，最大限度的提高天线的增益。本发明还涉及所述毫米波封装结构的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113629005B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202110732564.4
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，具体公开了一种扇出型封装填埋方法，包括以下步骤：步骤S12：将待封装芯片埋入扇出基板的凹槽内，在所述芯片的上表面、所述芯片的侧面与所述凹槽的侧壁之间的间隙沉积派瑞林介质层；步骤S13：在所述派瑞林介质层上形成金属层；步骤S14：以金属层为掩膜，利用双大马士革镶嵌工艺；依次重复步骤S13‑S14n次，在所述派瑞林介质层内形成n层布线，其中，n≥1，每一层布线均与所述芯片上不同位置处的焊盘或与所述扇出基板不同位置连接。本发明的派瑞林介质层填充缝隙效果好，内部基本不会产生气泡和空腔，并且表面平整度高，工艺稳定性高，工艺兼容性好，也可以降低布线层应力。
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公开(公告)号：CN104080081B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410267766.6
申请日：2014-06-16
Applicant: 北京大学
IPC: H04W12/02
Abstract: 本发明公开了一种适用于移动端位置隐私保护的空间匿名化方法。本方法：1)移动端基于位置的查询时，首先向云服务器查询每个网格单元的移动用户数的历史下限值cLB；2)该移动端根据网格单元的下限值cLB，对该空间区域进行自下而上的递归，计算出用于实际空间匿名区域计算的初始递归区域；3)该移动端与云服务器交互，从该初始递归区域进行自上而下递归询问云服务器，根据返回的网格单元内的当前用户数量确定是否满足生成匿名区域的条件，如果满足则生成匿名区域，将其发送给基于位置的服务提供方，请求获得相应的服务；4)该基于位置的服务提供方将查询到的消息队列传返回给该移动端。本发明既保证了隐私保护的有效性又降低了通讯成本。
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公开(公告)号：CN104080081A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410267766.6
申请日：2014-06-16
Applicant: 北京大学
IPC: H04W12/02
Abstract: 本发明公开了一种适用于移动端位置隐私保护的空间匿名化方法。本方法：1)移动端基于位置的查询时，首先向云服务器查询每个网格单元的移动用户数的历史下限值cLB；2)该移动端根据网格单元的下限值cLB，对该空间区域进行自下而上的递归，计算出用于实际空间匿名区域计算的初始递归区域；3)该移动端与云服务器交互，从该初始递归区域进行自上而下递归询问云服务器，根据返回的网格单元内的当前用户数量确定是否满足生成匿名区域的条件，如果满足则生成匿名区域，将其发送给基于位置的服务提供方，请求获得相应的服务；4)该基于位置的服务提供方将查询到的消息队列传返回给该移动端。本发明既保证了隐私保护的有效性又降低了通讯成本。
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公开(公告)号：CN119592683A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411777229.6
申请日：2024-12-05
Applicant: 北京大学人民医院
IPC: C12Q1/6883 , C12N15/11 , G01N33/68
Abstract: 本发明公开了杀伤细胞凝集素样受体C3(KLRC3)基因作为标志物在制备系统性红斑狼疮(SLE)继发噬血细胞性淋巴组织细胞增多症(HLH)检测制剂中的应用，所述制剂用于检测生物样本中KLRC3基因的表达水平。研究发现，在SLE继发HLH患者中KLRC3基因表达水平显著低于健康对照组和SLE患者，具有很好的诊断敏感性和特异性。本发明还公开了用于检测患者生物样本中KLRC3基因表达水平的制剂，制剂中含有检测KLRC3基因表达的mRNA水平的引物对，或者含有检测KLRC3基因表达的蛋白水平的抗体，只需抽血提取外周血单个核细胞(PBMC)后即可对SLE患者是否继发HLH进行检测，简单快速，结果准确。
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公开(公告)号：CN113629005A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110732564.4
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，具体公开了一种扇出型封装填埋方法，包括以下步骤：步骤S12：将待封装芯片埋入扇出基板的凹槽内，在所述芯片的上表面、所述芯片的侧面与所述凹槽的侧壁之间的间隙沉积派瑞林介质层；步骤S13：在所述派瑞林介质层上形成金属层；步骤S14：以金属层为掩膜，利用双大马士革镶嵌工艺；依次重复步骤S13‑S14n次，在所述派瑞林介质层内形成n层布线，其中，n≥1，每一层布线均与所述芯片上不同位置处的焊盘或与所述扇出基板不同位置连接。本发明的派瑞林介质层填充缝隙效果好，内部基本不会产生气泡和空腔，并且表面平整度高，工艺稳定性高，工艺兼容性好，也可以降低布线层应力。
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