公开(公告)号：CN115440831A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202110617774.9

申请日：2021-06-03

Applicant: 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 ,  北京大学 ,  北京元芯碳基集成电路研究院

Inventor： 蔡翔 ,  洪德麟 ,  王胜

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种光电探测器，包括一衬底、位于衬底上的低维半导体层、第一电极、第二电极和局域栅极，其中第一电极和第二电极分别位于低维半导体层两端，在第一电极与第二电极之间形成一沟道区，局域栅极位于沟道区中，并与所述第一电极和所述第二电极具有一间距，在局域栅极与低维半导体层之间具有局域栅介质，局域栅介质的宽度大于或等于局域栅极的宽度。本发明通过局域栅极的静电掺杂作用在沟道中引入局域的能带弯曲，形成局域势垒，抑制载流子的隧穿，减小暗电流，从而提高了光电探测性能。

公开(公告)号：CN116364767A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310238260.1

申请日：2023-03-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 胡又凡 ,  龙冠桦 ,  蔡翔 ,  樊晨炜

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/40 ,  H01L29/786 ,  H10K50/82

Abstract: 本公开提供了一种低功函数电极、半导体器件及其制备方法。本公开的低功函数电极，包括：低功函数材料层和保护层；其中，保护层通过在低功函数材料层之上沉积具有化学惰性或自限制氧化特性的材料而形成；低功函数材料层通过在衬底层上沉积低功函数材料而形成，低功函数材料层除下表面之外的所有其他表面均被保护层包覆。本公开实现了对低功函数材料表面进行包覆式保护的电极结构，能够避免低功函数材料氧化导致电极退化，降低低功函数材料在微纳加工过程中的退化，提升低功函数电极的稳定性。使用本公开提供的低功函数电极作为半导体器件的电极，可显著提升半导体器件的稳定性和性能表现，降低半导体器件的加工封装工艺要求和存储环境要求。

公开(公告)号：CN113764585A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202010494405.0

申请日：2020-06-03

Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 ,  北京大学 ,  北京华碳元芯电子科技有限责任公司

Inventor： 王胜 ,  蔡翔 ,  吴志强

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48 ,  H01L27/28 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种新型金属接触的纳米半导体器件及其制备方法。通过采用低功函数的金属铪(Hf)作为接触电极材料与碳纳米管形成n型接触，并且所述碳纳米管与金属铪(Hf)端接触，可用于制备高性能的n型碳纳米管光电器件，也可用于制备以碳纳米管为基的其他各种高性能的纳电子器件，包括非对称多层光电探测器、级联光电探测器、互补型场效应晶体管等。本发明进一步提升了碳纳米管n型金属接触的稳定性，提高了器件的性能，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN117082883A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311046204.4

申请日：2023-08-18

Applicant: 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 ,  北京大学 ,  北京元芯碳基集成电路研究院

Inventor： 蔡翔 ,  王胜

IPC: H10K39/30 ,  H10K85/20 ,  H10K30/60 ,  H10K10/46 ,  H10K71/20 ,  G01J4/04

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管红外偏振放大系统及其制备方法，属于半导体光电器件技术领域，该偏振放大系统包括一光电二极管，一MOS晶体管和一个负载，所述MOS晶体管的栅极与所述光电二极管的一端电连接；所述光电二极管具有第一碳纳米管沟道区，所述MOS晶体管具有第二碳纳米管沟道区，所述第一碳纳米管沟道区与所述第二碳纳米管沟道区具有不同的碳纳米管密度，所述负载是电阻、电容、电感或者晶体管。本发明提供的碳纳米管红外偏振放大系统在不同偏振状态对于不同光电流可以工作在MOS晶体管的亚阈值区域，同时，利用亚阈值区域的跨导变化可对不同偏振状态的电流不同等放大，最终提高碳纳米管红外偏振放大系统的消光比。