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公开(公告)号：CN1323421C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200410009629.9
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法，包括，在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线，并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，背面的胶带上留有小孔；将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并临界干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明有效地提高了集成电感的感值和品质因数，并且制造工艺方法简单、易操作。
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公开(公告)号：CN1315160C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410009631.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明工艺简单、易操作，并且与常规CMOS工艺技术相兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100352038C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200510130744.6
申请日：2005-12-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种SOC芯片制备方法，在芯片制备过程中，衬底的位于电路一面上设置一正面电极，该正面电极的形状根据衬底上要生成的多孔硅结构不同而不同，其中，电极材料可使用高掺杂多晶硅多晶硅或P+注入层。针对SOC串扰隔离，多晶硅电极或P+注入层设计为条状；针对射频集成电感，正面电极呈低阻导电带相间隔状。本发明可以实现多孔硅背向选择性的可控生长，而不必变更常规的CMOS工艺步骤，易于实现。
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公开(公告)号：CN1815713A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510130744.6
申请日：2005-12-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种SOC芯片制备方法，在芯片制备过程中，衬底的位于电路一面上设置一正面电极，该正面电极的形状根据衬底上要生成的多孔硅结构不同而不同，其中，电极材料可使用高掺杂多晶硅或P+注入层。针对SOC串扰隔离，多晶硅电极或P+注入层设计为条状；针对射频集成电感，正面电极呈低阻导电带相间隔状。本发明可以实现多孔硅背向选择性的可控生长，而不必变更常规的CMOS工艺步骤，易于实现。
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公开(公告)号：CN1787286A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510130662.1
申请日：2005-12-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种可应用于超宽带(UWB)高速无线通讯系统的微带天线，包括印刷电路板和固定在其上的平面金属，所述的金属包括信号金属和地平面金属，其特征在于，其中，地平面金属至少为两块，与信号金属一起构成“地－信号－地”共面波导结构。信号金属和地平面金属可以是在印刷电路板的同一板面上，也可以是在印刷电路板的不同板面上。所述的信号金属的形状为酒杯形或酒杯形的变形，包括柄部和杯身，其中，杯身下部的形状为类似倒三角形或梯形。该天线具有低成本，易加工，小体积和高性能的特点。
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公开(公告)号：CN1601707A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410009631.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明工艺简单、易操作，并且与常规CMOS工艺技术相兼容。
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公开(公告)号：CN1601695A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410009629.9
申请日：2004-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法，包括，在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线，并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，背面的胶带上留有小孔；将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳极，用金属Pt片作腐蚀电路的阴极；向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液，溶液的摩尔比为HF∶C2H5OH∶H2O＝1∶1∶2；开通腐蚀电路，并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5～50mA/cm2范围内，腐蚀时间3～5小时；将加工后的硅片清洗，去除防酸胶带并临界干燥处理，经测试封装后即可使用。本发明有效地提高了集成电感的感值和品质因数，并且制造工艺方法简单、易操作。
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