公开(公告)号：CN112034203A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010702434.1

申请日：2020-07-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张威 ,  廖建辉 ,  赵晓东

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/13

Abstract: 本发明提供了一种高精度隧道式加速度计及其制备方法。本发明的隧道式加速度计，包括玻璃衬底、硅片和石墨烯，其中硅片上有反馈电极、质量块和隧道结，反馈电极位于质量块左侧，质量块与弹簧固定连接，隧道结位于质量块右侧。其制备方法包含的步骤为：在硅片背面刻蚀限位槽，使质量块处于自由移动的状态；阳极键合玻璃衬底与硅片；溅射金属，在硅片正面标记位置制备反馈电极和隧道电流发射电极；深刻蚀，生成弹簧和质量块；制备隧道结，在隧道电流发射电极上集成石墨烯，通过电致燃烧法形成隧道结。本发明的隧道式加速度计，采用石墨烯电致燃烧法制备隧道结，既避免了传统工艺的限制，又确保了隧道间距的可控性，从而提高了加速度计的测试精度。

公开(公告)号：CN110246891B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201910577552.1

申请日：2019-06-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 唐彬 ,  陈清 ,  廖建辉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种突触晶体管、突触器件及其制造方法、运算阵列。器件或晶体管的沟道层的材料为具有铁电特性的半导体材料，可以利用半导体材料的铁电特性，通过栅极或者源极、漏极向沟道层施加电压，使得沟道层中的铁电畴发生极化翻转，铁电畴的改变会使得沟道层的电导发生变化，从而，可以通过该电导的改变模拟突触行为，这样，就实现了用一个晶体管或器件来模拟一个突触行为，有利于芯片的小型化及集成化，与现有硅基工艺的兼容，并能降低功耗。

公开(公告)号：CN110246891A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910577552.1

申请日：2019-06-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 唐彬 ,  陈清 ,  廖建辉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种突触晶体管、突触器件及其制造方法、运算阵列。器件或晶体管的沟道层的材料为具有铁电特性的半导体材料，可以利用半导体材料的铁电特性，通过栅极或者源极、漏极向沟道层施加电压，使得沟道层中的铁电畴发生极化翻转，铁电畴的改变会使得沟道层的电导发生变化，从而，可以通过该电导的改变模拟突触行为，这样，就实现了用一个晶体管或器件来模拟一个突触行为，有利于芯片的小型化及集成化，与现有硅基工艺的兼容，并能降低功耗。

公开(公告)号：CN112034203B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202010702434.1

申请日：2020-07-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张威 ,  廖建辉 ,  赵晓东

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/13

Abstract: 本发明提供了一种高精度隧道式加速度计及其制备方法。本发明的隧道式加速度计，包括玻璃衬底、硅片和石墨烯，其中硅片上有反馈电极、质量块和隧道结，反馈电极位于质量块左侧，质量块与弹簧固定连接，隧道结位于质量块右侧。其制备方法包含的步骤为：在硅片背面刻蚀限位槽，使质量块处于自由移动的状态；阳极键合玻璃衬底与硅片；溅射金属，在硅片正面标记位置制备反馈电极和隧道电流发射电极；深刻蚀，生成弹簧和质量块；制备隧道结，在隧道电流发射电极上集成石墨烯，通过电致燃烧法形成隧道结。本发明的隧道式加速度计，采用石墨烯电致燃烧法制备隧道结，既避免了传统工艺的限制，又确保了隧道间距的可控性，从而提高了加速度计的测试精度。