公开(公告)号：CN110246891A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910577552.1

申请日：2019-06-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 唐彬 ,  陈清 ,  廖建辉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种突触晶体管、突触器件及其制造方法、运算阵列。器件或晶体管的沟道层的材料为具有铁电特性的半导体材料，可以利用半导体材料的铁电特性，通过栅极或者源极、漏极向沟道层施加电压，使得沟道层中的铁电畴发生极化翻转，铁电畴的改变会使得沟道层的电导发生变化，从而，可以通过该电导的改变模拟突触行为，这样，就实现了用一个晶体管或器件来模拟一个突触行为，有利于芯片的小型化及集成化，与现有硅基工艺的兼容，并能降低功耗。

公开(公告)号：CN110246891B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201910577552.1

申请日：2019-06-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 唐彬 ,  陈清 ,  廖建辉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种突触晶体管、突触器件及其制造方法、运算阵列。器件或晶体管的沟道层的材料为具有铁电特性的半导体材料，可以利用半导体材料的铁电特性，通过栅极或者源极、漏极向沟道层施加电压，使得沟道层中的铁电畴发生极化翻转，铁电畴的改变会使得沟道层的电导发生变化，从而，可以通过该电导的改变模拟突触行为，这样，就实现了用一个晶体管或器件来模拟一个突触行为，有利于芯片的小型化及集成化，与现有硅基工艺的兼容，并能降低功耗。